Захват - атом
Cтраница 3
Гафний не имеет даже собственных минералов, он неизменный спутник циркония. Зато ( и в этом суть дела) различно сродство элементов к медленным нейтронам: сечение захвата атомов Ш равно 115 барн, а атомов Zr - 0 18 барн Каждая сотая доля процента примеси Ш повышает сечение захвата атомов циркония на 0 01 барн. Вот почему в цирконии реакторной чистоты не должно быть более 0 01 % гафния, хотя такая очистка значительно повышает стоимость циркония. [31]
Тангенциальная скорость роста поразительно велика: за каждую секунду встраивается в решетку около 5000 атомных слоев. Несколько большая скорость роста у основания округлой площадки по сравнению со скоростью роста сверху площадки получается расчетным путем. Расчет основан на поверхностной миграции адсорбированных атомов ( молекул) и числе устойчивых изломов. Скорость роста определяется главным образом числом атомов ( или молекул) на поверхности, вероятностью захвата атомов ( или молекул) устойчивыми изломами и ступенями у края округлой площадки, а также миграцией атомов к краю ступени. Так как число устойчивых изломов и ступеней на выбранной грани очень мало, описываемый эксперимент является практически идеальным случаем для изучения процесса образования зародышей. В качестве примера на рис. 2 показаны зародыши, возникшие не у края круглой ступени ( 1200), а в некотором удалении от нее. Эти зародыши, образующиеся только в исключительных случаях, имеют дефекты в центрах, на чем остановимся несколько ниже. [33]
 |
Винтовая дислокация, выходящая на границе жидкой и твердой фаз. [34] |
Тарнбалл показали, что расстояние между соседними витками спирали обратно пропорционально АТК. Поэтому общая длина ступени пропорциональна ДГК. Скорость роста в этом случае определяется степенным ( квадратичным) законом. Рост не подчиняется такой зависимости, если ступени резкие и располагаются так близко друг от Друга, что конкурируют между собой за захват атома, перескочившего из расплава. Отклонение от этого закона, состоящее в более быстром приближении к прямой непрерывного роста, имеет место также в случае малого переохлаждения. [35]
Для решетки алмаза параметры полных дислокаций следующие. Этот вектор равен наикратчайшему. Расщепленные и частичные дислокации возникают при взаимодействии края дислокации с несовершенствами упаковки. Это сложное явление связано с тем, что при движении края полуплоскости в направлении вектора Бюргерса при встрече с дефектом упаковки он искривляется. Выгодным оказывается движение с захватом атомов дефекта и разделением сектора Бюргерса на два меньших вектора и соответственно меньшей энергией, необходимой для движения дислокации. Дислокация как бы расширяется или раздваивается. [36]
Как было выяснено, вероятность захвата атомов водорода стеклянной стенкой очень мала. Достаточно обработать стенку раствором КС1, чтобы захват увеличился и нижний предел соответственно повысился. В стеклянном сосуде они получали вспышку при давлении, большем или равном 1 мм рт. ст. Достаточно было вдвинуть в прибор несколько сантиметров металлической проволоки, чтобы нижний предел повышался до 18 мм рт. ст. Если впустить в такой прибор смесь Н, 02, например, при давлении 10 мм рт. ст., то никакой реакции не наблюдается в течение нескольких часов. Если теперь при помощи магнита убрать проволоку из сосуда в отросток, то происходит яркая вспышка, и смесь реагирует. Это объясняется тем, что захват атомов Н металлами идет с очень большой вероятностью, так что небольшой отрезок проволоки захватывает много больше атомов Н, чем вся поверхность стеклянного сосуда. Это и вызывает столь сильный обрыв, что давление нижнего предела в присутствии проволоки в 18 раз выше, чем в ее отсутствие. [37]
Радиолиз растворов бензола в циклогексане подробно исследован в жидкой фазе. В присутствии бензола выходы водорода, циклогексена и дициклогексила существенно уменьшаются. Это показано на рис. 4.10. В общем признано, что бензол защищает циклогексан от радиационного разложения. Это, вероятно, один из наиболее известных примеров такой защиты. Защитное действие бензола объяснено переносом возбуждения и заряда наряду с захватом атомов Н и радикалов. [38]
При кристаллизации водных или спиртовых растворов орто-диоксибензола СбН4 ( ОН) 2, в котором под высоким давлением ( около 20 атм) растворен Аг, Кг или Хе, получаются кристаллы, в которых газы включены физически в клеткообразные пустоты в кристаллической решетке. Стехиометрия решетки определяет максимальное соотношение, равное одному включенному атому на три молекулы вещества-хозяина. Такое соотношение достигается, когда включены молекулы CH3CN, но в случае инертных газов обычно клетки заняты не полностью, что приводит к соединениям состава [ СбН4 ( ОН) 2 ] зКго 75 - Гелий и неон не дают клатратов с орто-диок-сибензолом, так как благодаря своим малым размерам эти атомы могут выйти из клеток в кристалле. Таким образом, получение клатратов с opmo - диоксибензолом может служить методом отделения гелия и неона от остальных инертных газов. Замерзание воды, содержащей растворенный в ней под давлением Аг, Кг или Хе, приводит к захвату атомов газа расширенной решеткой типа льда. И эти соединения инертных газов являются клатратами ( состав X 5 75 Н2О, где X Аг, Кг или Хе), хотя их часто называют гидратами инертных газов. [39]
Страницы: 1 2 3