Излучательная рекомбинация

Cтраница 1

Излучательная рекомбинация - результатом которой является возникновение световых квантов. [1]

Спектральное распределение фотопроводимости в соединениях АШВХ. [2]

Излучательная рекомбинация с участием примесей осуществляется через локальные уровни, расположенные в запрещенной зоне. В полупроводниках с непрямыми межзонными переходами введение активных примесей может существенно повысить эффективность излучательной рекомбинации и увеличить выход люминесценции. [3]

Световой рекомбина-ционный спектр германия ( 0 75 ом-см легированного фосфором ( Бенуа, а ля Гийом, Па-роди.| Интенсивность световой рекомбинации германия, как функция плотности 6р инжектированных носителей заряда и чистоты материала ( А. П0 8 7 - 1015сж - 3. В. р01 7х 3. С. я0 Ро 1 3 X - 3, ( Брилль, Шварц. [4]

Излучательная рекомбинация в германии была подробно изучена в работах Гаинса [ 71, с. [5]

Излучательная рекомбинация, однако, является в них не единственным возможным механизмом рекомбинации. Наряду с ней существуют и другие виды рекомбинации, в частности ступенчатая рекомбинация через ловушки ( см. ниже), роль которой возрастает при повышении температуры. Время жизни определяется суммарным действием всех механизмов рекомбинации. Во многих материалах, в том числе кремнии и германии, экстремумы зависимостей Е ( р) не совпадают ( рис. 1.2), т.е. рекомбинирующие электрон и дырка во всех случаях имеют разные импульсы. Рекомбинация в этом случае безыз-лучательная. Этот тип рекомбинации в германии и кремнии играет заметную роль, но не является преобладающим. Для осуществления рекомбинации необходима встреча трех подвижных носителей - рекомбинирующих электрона и дырки и электрона или дырки, которым передается энергия, что маловероятно. [6]

Схема переходов. [7]

Пусть излучательная рекомбинация из зоны в зону является основным механизмом и определяет концентрацию неравновесных носителей тока. [8]

Для излучательной рекомбинации через глубокие уровни это выражение уже не годится, так как глубокие ловушки никак нельзя рассматривать в виде водородоподобных центров. [9]

Кинетика излучательной рекомбинации О - f - NO - f - M изучена наиболее тщательно, и это особенно важно, поскольку измеренная абсолютная интенсивность свечения такой реакции [112] служит полезным актинометрическим стандартом для определения абсолютных интенсивностей других хемилюминесцентных процессов. [10]

Вероятность излучательной рекомбинации зависит от структуры энергетических зон полупроводника. Наибольшую вероятность излучательной рекомбинации имеют полупроводники с прямыми переходами, такие как GaAs, в то время как у полупроводников с непрямыми переходами эта вероятность мала. Поскольку при Оже-рекомбинации передача энергии осуществляется путем кулоновского взаимодействия между электронами или дырками, то этот процесс приобретает значимость при высокой концентрации носителей. [11]

Причиной излучательной рекомбинации, или люминесценции в стеклообразных, как и в кристаллических, полупроводниках является возникновение в материале избыточных носителей заряда. Обычно они образуются за счет возбуждения светом, в этом случае излу-чательная рекомбинация называется фотолюминесценцией. [12]

Возможность излучательной рекомбинации электрона, захваченного донором, с дыркой, захваченной акцептором, обнаруживается в соединениях А В, в частности в QaP, GaAs. Предполагают, что донор и акцептор находятся на расстоянии друг от друга. [13]

Вавилов, Излучательная рекомбинация в полупроводниках, УФН LXV1I1, вып. [14]

Рассмотрены механизмы излучательной рекомбинации в свето-диодах и их основные параметры и характеристики. Приведены расчетные соотношения, связывающие квантовый выход и мощность излучения с вольт-амперной характеристикой светодиода в области малых токов. [15]

Страницы: 1 2 3 4