Излучательная рекомбинация

Cтраница 2

Поэтому вероятность излучательной рекомбинации в центральной области, где концентрация атомов бора еще достаточно высока, растет быстрее стоком, и начиная с какого-то момента, она начинает преобладать. Поскольку в центральной области плотность носителей меняется линейно с током ( см. таблицу), то по такому же закону должна изменяться интенсивность примесной электролюминесценции. [16]

Зависимость / 77 f, ( / для диодов с WlLp 3. [17]

Поэтому вероятность излучательной рекомбинации в центральной области, где концентрация атомов бора еще достаточно высока, растет быстрее с током, и начиная с какого-то момента, она начинает преобладать. Поскольку в центральной области плотность носителей меняется линейно с током ( см. таблицу), то по такому же закону должна изменяться интенсивность примесной электролюминесценции. [18]

Межзонная излу-чательная рекомбинация в прямозонном полупроводнике. [19]

Форму линии излучательной рекомбинации исследовали без учета электронно-дырочного взаимодействия, которое существенно изменяет край полосы поглощения. [20]

Форму линии излучательной рекомбинации исследовали без учета электронно-дырочного взаимодействия, которое существенно изменяет край полосы поглощения. Анализ спектров рекомбина-ционного излучения с учетом экситонов и вообще электронно-дырочного взаимодействия приводит к сложной структуре полосы собственного рекомбинационного излучения. Так как значения коэффициента поглощения для экситонных линий с малыми значениями главного квантового числа ( п 1 2) довольно высоки, то с учетом соотношения (8.130) велика будет и интенсивность экситонных линий ( особенно с п 1) в спектре собственной излучательной рекомбинации. Эксперимент однако показывает, что интенсивность выходящего из образца рекомбинационного излучения больше вблизи края поглощения, чем в экситонной линии. На рис. 128, б приведен спектр межзонного рекомбинационного излучения для германия. Вблизи Я, - 1 5 мкм наблюдается экси-тонный пик излучения, интенсивность которого меньше интенсивности в собственной области. [21]

Межзонная излу-чательная рекомбинация в прямозонном полупроводнике. [22]

Форму линии излучательной рекомбинации исследовали без учета электронно-дырочного взаимодействия, которое существенно изменяет край полосы поглощения. [23]

Зависимость скорости. [24]

Экспериментальное исследование излучательной рекомбинации на ряде полупроводников, в общем, подтверждает основные выводы теории. [25]

Яркостная характеристика электролюминесцентного порошкового излучателя. [26]

Наряду с излучательной рекомбинацией происходит и безызлучательная рекомбинация, при которой избыточная энергия выделяется в виде квантов тепловой энергии. [27]

В большинстве материалов излучательная рекомбинация может наблюдаться только при использовании р - га-переходов, к которым приложено смещение в прямом направлении. [28]

Для увеличения эффективности излучательной рекомбинации в фосфид арсенида галлия, так же как и в фосфид галлия, вводят примеси. Влияние азота на внешнюю квантовую эффективность т) ф проиллюстрировано на рис. 7.34. Внешняя квантовая эффективность т) ф - это отношение числа фотонов, излученных светодиодом, к числу носителей заряда, протекающих через его электрический переход. [29]

Для выяснения природы излучательной рекомбинации в CdP2 основное внимание уделено изучению температурной зависимости спектрального распределения катодолюминесценции и установлению связи между спектрами фотолюминесценции и катодолюминесценции. [30]

Страницы: 1 2 3 4