Излучательная рекомбинация

Cтраница 3

При исследовании процессов излучательной рекомбинации часто возникает целый ряд вопросов, относящихся главным образом к кривым потенциальной энергии. Из какого электронного состояния происходит наблюдаемое излучение. [31]

Измерение скоростей роста излучательной рекомбинации и фотопроводимости, пропорциональной п - 2, наряду с изучением времени жизни свободных носителей позволяет судить о роли Оже-рекомбинацин в каждом конкретном случае. [32]

Из всех реакций излучательной рекомбинации типа А ВС - - АВСе реакция H NO, вероятно, самая удобная для спектроскопических наблюдений. [33]

Электрон-дырочная пара совершает излучательную рекомбинацию из состояния Ь), испуская рассеянный фотон. [34]

При больших концентрациях акцепторов излучательная рекомбинация будет осуществляться только через основное состояние примеси, поэтому должен наступить некоторый спад быстродействия, который затем может быть скомпенсирован за счет дальнейшего повышения концентрации примесей. [35]

Следует заметить, что излучательная рекомбинация может происходить не только через основное состояние акцептора, но и через его возбужденное состояние. [36]

Несмотря на успешное исследование излучательной рекомбинации 280 ], действие ее слабо ( что подтверждает малую величину коэффициента поглощения, применимого к подобным переходам. Конечно, иногда не следует пренебрегать несобственными переходами типа Оже. Особенно если ловушки имеют большой отрицательный заряд. Однако преобладающим механизмом ( по крайней мере, в германии и кремнии, где он был основательно изучен), является рекомбинация с эмиссией фононов. Теория эта была разработана Лаксом [282], причем она дает долю рекомбинации достаточной величины для объяснения малых значений т, полученных при измерении. [37]

Таким образом, эффективность излучательной рекомбинации зависит от длины волны возбуждающего света. В основе данного метода измерения диффузионной длины лежит спектральная зависимость эффективности фотолюминесценции. [38]

При комнатной температуре процесс излучательной рекомбинации идет с участием свободной дырки, но при температуре ниже 10D К доминирует излучение, связанное с переходами в донор-но-акцепторных парах кислород - цинк с большим расстоянием между атомами. [39]

Обсуждение результатов работ по излучательной рекомбинации атомов галогенов четко иллюстрирует возникающую трудность в изучении реакций такого типа. Влияние третьей частицы проявляется тремя различными способами, которые исключительно сложны для расшифровки. [40]

Гетеропереход, образованный из однотипных полупроводников.| Гетеропереход в случае образования вырожденного слоя. [41]

Для соединений типа AUIBV характерна излучательная рекомбинация. [42]

Пики, наблюдаемые в спектрах излучения Си2Э при возбуждении фотонами вблизи зеленой экситонной серии ( Gr - 2P, Gr-ЗР, 7 - 4Р. Построена зависимость разности v - is8 от i / i. Прямые линии - ожидаемая зависимость пиков люминесценции желтой экситонной серии от энергии падающего фотона. Горизонтальными стрелками показана идентификация различных многофононных рамановских пиков, которые усиливаются вследствие резонанса энергий падающего и рассеянного фотонов с энергиями зеленых и желтых экситонов соответственно. [43]

Рассмотрим более подробно различные процессы излучательной рекомбинации, которые встречаются в полупроводниках. Предположим, если не будет сделано особых оговорок, что e - h пары возбуждаются оптически, т.е. экспериментальным методом является фотолюминесценция. [44]

В этом случае основным механизмом излучательной рекомбинации является рекомбинация с переходом носителя из разрешенной зоны на примесный акцепторный уровень. [45]

Страницы: 1 2 3 4