Изготовление - микросхема
Cтраница 4
Характер этих связей зависит от метода изоляции и технологии изготовления микросхемы. В меньшей степени подложка влияет на параметры транзисторов при использовании диэлектрической изоляции. [46]
При необходимости осуществления проверки емкости конденсатора в процессе или после изготовления микросхемы, конденсаторы должны иметь соответствующие контактные площадки. Если конденсатор шунтируется резистором и если замерить полное сопротивление параллельного соединения невозможно, то при проектировании топологии рекомендуется ( в технически обоснованных случаях) указанные компоненты выполнять незашунтированными; в этом случае окончательное соединение производится навесным проводником после осуществления необходимых измерений. [47]
Технология изготовления микросхем первой группы называется планерной, а технология изготовления микросхем второй группы - планарно-эпитаксиальной. [48]
Высокая точность выполнения пленочных, элементов может быть использована при изготовлении микросхем по совмещенной технологии, в которой активные и часть пассивных элементов выполняются в объеме полупроводника, а часть пассивных элементов - на его поверхности в тонкопленочном исполнении. Применение двух технологий повышает стоимость таких микросхем, но позволяет существенно повысить точность их параметров. [49]
Необходимо также учитывать возможность взаимодействия разнородных материалов, используемых при изготовлении микросхемы. Так, при напылении тонкопленочных резисторов имеет место контакт проводящего и резистивного слоев и, следовательно, не исключена возможность образования интерметаллических соединений. Последние существенно влияют на величину контактного сопротивления и являются дополнительными источниками шумов и нелинейности сопротивления. [50]
Независимо от структуры пластин, используемых в качестве исходного материала для изготовления микросхем, их поверхности подвергаются тщательной очистке. Качеству очистки придается большое значение, поскольку надежность и электрические характеристики интегральных микросхем в большой степени определяются состоянием их поверхности. Кроме того, в интегральных микросхемах высокой интеграции, где общий размер элементов может быть меньше размеров пылинки, шлияние загрязнений стало особо опасным. [51]
 |
Условное графическое обозначение К588ВУ2. [52] |
Связи ПЛМ1, ПЛМ2 и подключение БПИ программируются фотошаблоном в процессе изготовления микросхемы. [53]
 |
Условное графическое изображение.| Структурная схема КР1816ВЕ35, КР1816ВЕ39, КМ1816ВЕ48, КР1816ВЕ49. [54] |
ПЗУ емкостью 2048 8-разрядных слова, содержимое которого задается в процессе изготовления микросхемы. [55]
Конечное отношение атомов кремния и вольфрама в пленке силицида вольфрама зависит от маршрута изготовления микросхем. [56]
Макромодели, построенные методом подобия, как правило, мало связаны с технологическими особенностями изготовления микросхем. Более того, микросхемы одного функционального назначения, но изготовленные по разной технологии ( например, МДП-и биполярной) могут имитироваться одинаковыми макромоделями, полученными аппроксимацией характеристик на внешних выводах. Такие макромодели не подвержены моральному старению. [57]
В однокристальных микроЭВМ в качестве ПЗУ команд предпочтительнее использовать масочное ПЗУ, программируемое в процессе изготовления микросхемы. Однако это возможно лишь в том случае, когда алгоритм работы ОМЭВМ в конкретной аппаратуре окончательно отлажен и не подлежит дальнейшей корректировке. На начальных этапах создания управляющих систем целесообразнее использовать ОМЭВМ, в которой внутреннее ПЗУ команд отсутствует и имеются выводы для подключения внешнего ЗУ: ОЗУ, РПЗУ или ППЗУ с объемом и организацией, аналогичными внутреннему ПЗУ. Такая ОМЭВМ является отладочной и позволяет производить разработку, отладку и корректировку программного обеспечения для самых разнообразных применений ОМЭВМ. После отработки программы при необходимости по заказу потребителей возможно изготовление ОМЭВМ с внутренним масочным ( программируемым при изготовлении) ПЗУ, предназначенным для решения конкретной задачи. [58]
Страницы: 1 2 3 4