Изготовление - переход
Cтраница 2
При изготовлении переходов площадью более 1 мм необходимо устройство, осуществляющее давление на примесный элемент, чтобы обеспечить однородность перехода по всей площади сплавления. [16]
 |
Линзовый компенсатор.| Сварная заготовка для изготовления линзы из четырех частей. [17] |
При изготовлении переходов с одного диаметра на другой длина части перехода принимается не менее удвоенной разности между большим и малым диаметром. [18]
 |
Переход с круглого на прямоугольное сечение. [19] |
При изготовлении переходов с круглого сечения на прямоугольное ( рис. 78) следует помнить, что существует определенная закономерность соотношений диаметров переходов. [20]
При изготовлении переходов 3 ( см. рис. 75, б) на обычных механизмах после разметки на металлическом листе вырезают механизмом СТД-9А заготовку, после чего ее изгибают на листогибочном станке ЛС-6. На срезанных наклонных сторонах заготовки на механизме СТД-16А образуют длинный угловой фальц защелочного соединения. Затем заготовки с помощью молотка соединяют и образуют переход. [21]
При изготовлении переходов необходимо различать, изготовляются ли эти переходы для труб, эксплуатируемых под давлением, или для труб, работающих без давления. [22]
При изготовлении переходов с одного диаметра на другой высота части перехода h принимается не менее удвоенной разности между большим и малым диаметрами концов перехода ( фиг. [23]
При изготовлении сварного трубчатого перехода из сварных труб ось одной из впадин следует располагать по сварному шву трубы. [24]
При изготовлении сварного трубчатого перехода из сварных труб ось одной из впадин следует располагать по сварному шву трубы. [25]
 |
Типичные ВАХ полупроводниковых вентилей. купроксного ( Си, селенового ( Se, германиевых точечного ( Qe - т и плоскостного ( Ое-и, кремниевых точечного ( Si - т и плоскостного ( Si - n. [26] |
При изготовлении р-п переходов СВЧ диодов используются методы сплавной, диффузионной и эпитаксиальной технологии, а также различные их комбинации. Малая площадь р-п перехода ( около 0 01 мм2) обеспечивается меза-конструкцией. [27]
Возможно также изготовление перехода за счет осаждения ( напыления) на монокристалл тонкого слоя того же материала, но с соответствующими примесями. Такой способ называется эпитаксиалъ-ным. Метод молекулярной эпитаксии позволяет создать и сверхструктуры, представляющие собой периодическое чередование полупроводников с разными характеристиками. [28]
 |
Разметка тройников прямоугольного селения а - готовый тройник с размерами ЛВ. б - то же. с размерами АВ. в - схема раскроя тройника с размерами АВ. [29] |
Раскрой и изготовление перехода не представляют сложности, поэтому детально здесь не описываются. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5