Изготовление - переход
Cтраница 3
 |
Зависимость глубины залегания р-п перехода в GaAsi - xP, отнесенной ко времени, от давления паров As4 при диффузии Zn ( вертикальная и горизонтальная шкалы ло. [31] |
Если для изготовления р-п переходов СИД применяется процесс диффузии, то необходимо контролировать следующие параметры: глубину залегания р-п перехода; вводимые при диффузии неоднородности кристалла; оптические свойства диффузионного слоя; центры безызлу-чательной рекомбинации, возникающие во время диффузии. [32]
 |
Электронно-дырочный переход. [33] |
В процессе изготовления перехода некоторые электроны из области п диффундируют в область р и там рекомбинируют с дырками, которые до этого нейтрализовали заряды отрицательных ионов. [34]
Технологические процессы изготовления р-п перехода и армирования выпрямителей правильны. [35]
Исходным материалом для изготовления переходов 530x426, 820X720, 720X530, 1020X720, 1220x1020 мм являются трубы по ТУ 14 - 3 - 1067 - 82, ТУ 14 - 3 - 1138 - 82 из стали марки 09Г2С по ГОСТ 19282 - 73, а также используются трубы импортного производства. Труба с помощью приспособления краном подается на станок для фасонной резки трубы и укладывается на ролики. Труба закрепляется поводком водила, размечается на заготовки требуемой длины. При вращательном движении трубы производят отрезку заготовок. Трубные заготовки укладывают на под печи и подвергают нормализации. [36]
Режим нагрева при изготовлении переходов устанавливается заводом-изготовителем. При нагреве заготовок образование окалины должно быть минимальным. После обжатия переходы очищают от окалины и осматривают с целью выявления образовавшихся трещин и других пороков. [37]
Разметке подвергаются трубы при изготовлении переходов и при необходимости приварки готовых переходов к различным заготовкам трубопровода. Большой объем разметочных работ выполняется при изготовлении сварных деталей, особенно сварных отводов. [38]
 |
Изготовление р-п-пере-хода методом Планерной технологии. [39] |
Последовательность технологических операций при изготовлении планарного перехода приведена на рис. 7.8. Пластину кремния с электропроводностью, предположим, я-ти-па, отполированную до 14-го класса чистоты, подвергают оксидированию. [40]
Величина показателя п зависит от технологии изготовления р-п перехода. [41]
Вне зависимости от исходного материала основным способом изготовления р-п перехода туннельных диодов является вплавление. [42]
 |
Конструкция туннельных диодов.| Схема включения ( а и вольтамперная характеристика ( б туннельного диода. [43] |
Вне зависимости от исходного материала основным способом изготовления р-п перехода туннельных диодов является вплавление. После вплавлений перехода для уменьшения его площади ( что необходимо для улучшения частотных свойств прибора) переход подвергают электролитическому травлению. Затем диод помещают в металлокерамический корпус, имеющий гибкие выводы. [44]
Эта операция обычно проводится или сразу же после изготовления перехода, или после его сборки на металло-стеклянной ножке. Использование в качестве компонентов тра-вителей агрессивных и вредных для здоровья веществ сильно осложняет процессы травления, требует применения специальных приспособлений из фторопласта и соблюдения соответствующих мер предосторожности. Поскольку скорость химического травления не постоянна во времени, автоматизация и механизация этой операции сильно затрудняются, это в большей мере относится и к регулированию процесса травления для каждого перехода в отдельности. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5