Магнитокристаллическая анизотропия

Cтраница 2

В этом параграфе мы прежде всего подробно обсудим вопросы, связанные с возникновением магнитокристаллической анизотропии. Приведем сначала краткий обзор важнейших экспериментальных данных, касающихся кристаллографической анизотропии ферримагнитных окислов. [16]

По Вейну и др. [9], необходимым условием ППГ ферритов является превалирующая роль магнитокристаллической анизотропии над другими видами анизотропии. [17]

Зависимость ширины линии ФМР АЯ от температуры для частиц Ni диаметром - 4 нм, внедренных в поры силикагеля.| Разложение температурной зависимости ширины линии ФМР АЯ для частиц Ni диаметром - 6 ни, внедренных в поры X-цеолита, на составляющие. [18]

У всех образцов должно происходить уширение линии при 11 / ТК ОЛ за счет магнитокристаллической анизотропии. [19]

Константы анизотропии и поле анизотропии - понятия, относящиеся к математическому способу описания явления магнитокристаллической анизотропии. Физическая причина анизотропии лежит во взаимодействии между спиновыми и орбитальными моментами электронов атомов вещества, а также во взаимодействии орбитальных моментов электронов с электростатическим полем кристаллической решетки. [20]

В уравнение ( 4), помимо Не, в качестве параметра входит также константа магнитокристаллической анизотропии К. Величины / Ci указанных составов, вычисленные нами по данным ФМР методом, изложенным в работе [7], равнялись 9 Ы04 и 5 02 - 1 04 эрг / см3 соответственно. Было найдено, что для концентраций Со 0 08 и 0 06 ( аХ) равнялось соответственно 2 89 - Ю-14 и 2 91 Ю-14 эрг. [21]

Метод ФМР является весьма чувствительным в отношении таких важных характеристик ферромагнитных частиц, как анизотропия формы, магнитокристаллическая анизотропия и анизотропия, обусловленная доменной структурой. [22]

Однако у силицидов в упорядоченном состоянии величины намагниченности при 4 2 К заметно меньше тех, которые можно ожидать, зная значение gJ для иона; это, по-видимому, связано с высокой магнитокристаллической анизотропией. [23]

Искажение решетки в окрестности ионов Мп3 и Gu2, обусловленное, по-видимому, эффектом Яна - Теллера, может изменить локальную симметрию кристалла и таким образом существенно повлиять, по крайней мере локально, на магнитокристаллическую анизотропию 3), а, возможно, также и на магнитострикцию. Важную роль в изменении характера процессов намагничивания л в возникновении прямоугольной петли гистерезиса может играть образование областей с повышенной концентрацией деформирующих ионов, которое может оказаться энергетически выгодным в смысле уменьшения полной упругой энергии кристалла. На такую возможность обратил внимание Гудинаф [176], который придерживается мнения, что при возникновении прямоугольной петли гистерезиса наиболее существенно различие намагниченности внутри и вне скопления ионов. [24]

Для ферромагнетиков группы железа орбитальные моменты Зй-электронов жестко связаны ( заморожены) электростатическим полем решетки и внешнее поле Я, взаимодействуя со спиновыми моментами, преодолевает спин-орбитальное взаимодействие. Таким образом, магнитокристаллическая анизотропия 3d - nepe - ходных металлов обусловлена силами магнитного происхождения. [25]

В реальных материалах - сплавах и соединениях - имеются места с локальными искажениями фазовой и кристаллической структуры и соответственно с измененными значениями константы анизотропии и обмена. В магнитотвердых материалах с высокой магнитокристаллической анизотропией процесс перемагничивания осуществляется в основном путем образования зародышей обратной магнитной фазы и движения доменных границ, а в материалах со структурой из совокупности однодоменных частиц - неоднородным вращением векторов намагниченности в отдельных частицах. [26]

Путем варьирования нескольких подгоночных параметров было достигнуто хорошее согласие расчета с экспериментальными кривыми зависимости от температуры ширины ДЯ ( рис. 144) и сдвига линии ФМР в области Т 50 - Ч - 300 К. При этом эффективное поле НА магнитокристаллической анизотропии частиц оказалось значительно меньше такового ( НА) в массивном кристалле. Ориентировочный размер частиц Ni, определенный с помощью данных для НА, был равен - 4 нм. [27]

Если ферромагнитный материал находится под воздействием внешнею механического напряжения, магнитокристаллическая анизотропия в результате возникающей деформации кристаллической решетки будет изменяться на величину, которая зависит от направления и величины этой деформации. В свободном кристалле для минимизации энергии магнитокристаллической анизотропии будет возникать спонтанная деформация, зависящая от направления М относительно осей кристалла; для кубического кристалла такие деформации, измеренные вдоль кристаллографических направлений [100] и [111], когда М параллельна этим направлениям, называются константами магнитострикции и обозначаются Xjee и Ят, соответственно. [28]

Кристаллизацией аморфных сплавов получают нанокристалличе-ские ферромагнитные сплавы систем Fe-Cu-M-Si-B ( M: Nb, Та, W, Mo, Zr), имеющих очень низкую коэрцитивную силу и высокую магнитную проницаемость. Наноразмеры зерен приводят к существенному уменьшению эффективной магнитокристаллической анизотропии, а следовательно, к улучшению магнитных свойств. [29]

Зависимость коэрцитивной силы остаточной индукции и магнитной энергии от фактора упаковки Р.| Зависимость коэрцитивной. [30]

Страницы: 1 2 3 4