Магнитокристаллическая анизотропия - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Порядочного человека можно легко узнать по тому, как неуклюже он делает подлости. Законы Мерфи (еще...)

Магнитокристаллическая анизотропия

Cтраница 3


Если удастся добиться дальнейшего уменьшения размера частиц, то, вероятно, можно ожидать получения более высокой коэрцитивной силы. Качественная связь этой огромной Нс с высокой магнитокристаллической анизотропией понятна, но количественные расчеты не соответствуют экспериментальным данным.  [31]

Установлено, что использование кристаллографической анизотропии - получение магнитов с направленной кристаллизацией или монокристаллов не приводит к увеличению магнитных свойств. Поскольку магнитные свойства монокристаллов не зависят от кристаллографической ориентировки, энергия магнитокристаллической анизотропии невелика. Наиболее заметно проявляется анизотропия формы продуктов распада, наведенная в результате ТМО.  [32]

Магнитомягкие аморфные сплавы, прежде всего на основе Fe, Со, Ni, находят промышленное применение во все расширяющихся масштабах, особенно в электро нике и электротехнике. Это связано с отсутствием в них структурных дефектов большой протяженности и магнитокристаллической анизотропии.  [33]

Первоначально считали, что форма кривых намагничивания свидетельствует о переходе ферро - антиферромагнетик при понижении температуры. Однако Бушоу [130] показал, что метамагнитные переходы в DysAl2 связаны с возникновением высокой магнитокристаллической анизотропии в ферромагнитном веществе ( фиг. Впоследствии Барбара и др. [131] дали новую интерпретацию своих данных, пользуясь представлениями о движении моноатомных доменных стенок.  [34]

Силицид YbsSia был получен [7] в виде хрупкого вещества серого цвета. Согласно [11] этот силицид при низких температурах переходит в ферромагнитное состояние и обладает большой магнитокристаллической анизотропией Температура Вейса YbsSia отвечает - 10 81 К, магнитный момент составляет 3 73 бор-магнетон.  [35]

Авторы этой работы разложили суммарную ширину линии на три составляющие: A / /, обусловленную полем магнитокристаллической анизотропии; ЛЯ2, связанную со взаимодействием дипольных магнитных моментов частиц, и A - ff3, относящуюся к спин-решеточной релаксации.  [36]

Таким образом, согласно [385] температурные изменения доменной структуры практически не зависят от структурного состояния образца ( наноструктурного или крупнокристаллического) и происходят одинаковым образом при тех же температурах. Это говорит о том, что изменения доменной структуры, по-видимому, в основном контролируются такими важными магнитными параметрами, как постоянная магнитокристаллической анизотропии и обменная энергия, а также геометрическими параметрами образца. Микроструктура материала, ее дисперсность, высокая плотность дефектов определяют только локализацию и подвижность стенок доменов.  [37]

В этом случае спин-орбитальное взаимодействие влияет на упомянутые уровни, в частности, приводит к тому, что их положение становится зависящим от ориентации обменного поля относительно кристаллографических направлений ( фиг. Такая зависимость низших уровней спектра иона от направления поля обменного взаимодействия, а следовательно, и от направления намагниченности является истинной причиной возникновения магнитокристаллической анизотропии в одноионном приближении.  [38]

Метод ФМР является весьма чувствительным в отношении таких важных характеристик ферромагнитных частиц, как анизотропия формы, магнитокристаллическая анизотропия и анизотропия, обусловленная доменной структурой. Магнитокристаллическая анизотропия связана с различием энергии, требуемой для намагничивания кристалла до насыщения по разным направлениям. То направление, для которого эта энергия оказывается наименьшей, называют направлением легкого намагничивания. Для Ni и ГЦК-Со ( первая константа анизотропии К С 0) ребра элементарной кубической ячейки являются направлениями трудного, а пространственные диагонали - легкого намагничивания. В случае ОЦК-Fe ( К1 ] 0) имеет место обратная картина.  [39]

Необходимо отметить, что в некоторых случаях, после отделения пленки от подложки и исчезновения деформационно-магнитострикционной составляющей, оставшаяся величина Kj слишком велика и ее нельзя объяснить с помощью модели роста столбиков. Следовательно, могут существовать другие механизмы анизотропии. Одним из этих механизмов янляется магнитокристаллическая анизотропия, которая может играть важную роль в монокристаллических пленках или в пленках с кристаллической текстурой определенной ориентации.  [40]

Предельная коэрцитивная сила материала определяется величиной поля анизотропии Яа, в то время как реальная коэрцитивная сила материала НсМ зависит от процесса перемагничивания. В материалах, магнитная твердость которых обусловлена магнитокристаллической анизотропией, это условие, как правило, выполняется.  [41]

Это соотношение часто используется, так как форму многих образцов можно хорошо аппроксимировать эллипсоидом. Размагничивающий фактор N вычисляется для главных осей трехосного эллипсоида и приближенно может быть выражен в удобном виде для некоторых эллипсоидов вращения. В монокристаллическом образце в результате спин-орбитального взаимодействия возникает магнитокристаллическая анизотропия, так что Ек зависит от направления М относительно кристаллографических осей.  [42]

Кристаллизация аморфных сплавов особенно активно изучается в связи с возможностью создания нанокристаллических ферромагнитных сплавов систем Fe-Cu-M-Si-B ( M-Nb Ta W, Mo, Zr), имеющих очень низкую коэрцитивную силу и высокую магнитную проницаемость, т.е. мягких магнитных материалов. Иначе говоря, уменьшение размера приводит к росту обменного взаимодействия, уменьшению магнитокристаллической анизотропии и тем самым - к улучшению мягких магнитных свойств. Позднее эта идея была реализована путем направленной кристаллизации многокомпонентных аморфных сплавов.  [43]

Некоторые авторы [23, 29] сообщают о введении в состав ферритов небольших ( порядка 1 - 2 мол. Однако такие добавки, по-видимому, почти неизбежно появляются в ходе технологического процесса и, следовательно, присутствуют в изготовленном материале, только они не всегда контролируются. Феррит кобальта добавляется в твердый раствор в небольших количествах ( х 0 01; 0 02; 0 03) для компенсации магнитокристаллической анизотропии. Известно, что феррит кобальта имеет положительную и большую константу магнитокристаллической анизотропии, тогда как для феррита никеля эта константа отрицательна и значительно меньше по величине. Уменьшение анизотропии за счет компенсации ведет к умягчению магнитного материала и повышению его магнитной проницаемости и динамических магнитострикционных констант. Комп величина которой зависит от содержания феррита кобальта. С увеличением содержания феррита кобальта комп возрастает.  [44]

К и магнитострикция насыщения A s обращаются в ноль, что соответствует условию наиболее легкого перемагничивания материала и наивысшего значения проницаемости. Эта область составов близка к составу сверхструктуры Ni3Fe, которая образуется в пермаллоях при медленном охлаждении. Но упорядочение атомов разного сорта, приводящее к формированию сверхструктуры, изменяет величину внутреннего кристаллического поля и, как следствие, резко изменяет константу магнитокристаллической анизотропии. Из-за этого магнитная проницаемость также резко падает. Добавляя в состав сплава такие легирующие элементы, как Мо или Сг, можно замедлить процесс образования сверхструктуры и упростить термическую обработку, а также существенно повысить удельное электрическое сопротивление, что важно для использования материала при повышенных частотах.  [45]



Страницы:      1    2    3    4