Диэлектрическая анизотропия
Cтраница 2
По этой причине мы ограничимся предельным случаем, когда диэлектрическая анизотропия еа 8ц - е мала, так что можно считать, что и падающая, и рассеянная волны распространяются в изотропной среде. Однако оно позволяет гораздо более точно рассмотреть важнейшие физические черты явления. [16]
При этом измерение диэлектрической проницаемости и определение положения осей диэлектрической анизотропии осуществляются без разрушения образца. [18]
Как и тематические, холестерические жидкие кристаллы могут обладать отрицательной и положительной диэлектрической анизотропией. В случае отрицательной диэлектрической анизоропии ориентация холестерика электрическим полем сводится к тому, что конфокальная ( мелкодоменная, рассеивающая свет) структура переходит в плоскостную с осью спирали, перпендикулярной электродам. [19]
 |
Структура нематического жидкого кристалла.| Структура холестирического жидкого кристалла.| Структуры смектических жидких кристаллов видов А, В, С. [20] |
В табл. 26.1 приведены структурные формулы, температуры переходов и диэлектрическая анизотропия некоторых НЖК. [21]
Соотношение, аналогичное (2.72), часто выполняется и для величины диэлектрической анизотропии бинарных ( и более сложных) нематических смесей. При одной и той же температуре ( 25 С, кривая 2) соотношение Авсм Sci e; выполняется только до концентрации v б вес. БМАОБ, поскольку изменяются точки фазовых переходов смеси и, следовательно, величина степени упорядоченности при данной температуре. [22]
Пороговое напряжение фазового перехода зависит от шага холестерической спирали, диэлектрической анизотропии и толщины слоя жидкого кристалла. Все три фактора легко управляемы: шаг спирали можно изменять, разбавляя холестерический кристалл тематическим или холестерическим с противоположным знаком вращения, анизотропия меняется при добавлении нематика с большой положительной анизотропией. На практике это позволяет изменять пороговое напряжение от единиц вольт до напряжений, ограниченных лишь электрической прочностью. Наклон кривой ( рис. 9) в до-пороговой области объясняется образованием конфокальной структуры и турбулентным движением кристалла, аналогичным динамическому рассеянию. [23]
Такой прибор содержит слой жидкого кристалла толщиной около 12 мкм с отрицательной диэлектрической анизотропией. При изменении постоянного напряжения на слое от 10 до 50 В частота решетки доменов обычно изменяется от 200 до 600 лин. Наличие фо-топроводящего слоя в такой структуре позволяет изменять частоту решетки под действием управляющего света. [24]
Например, интенсивно рассеивает свет конфокзлыю закрученная структура холестери-ческого ЖК с положительной диэлектрической анизотропией ( ось спирали лежит в плоскости слоя), но приложение поля растягивает спираль ii ориентирует молекулы параллельно силовым линиям поля как в иематическом ЖК. В отличие от Предыдущего случая здесь электрическое поле просветляет слой кристалла. Рассеяние в смектических ЖК может быть, например, вызвано фазовым переходом, инициируемым лазерным лучом. [25]
 |
Зависимость длины волны Ло селективного отражения от температуры холесте-ринпеларгоната ( кривые /, 3 и холесте-рилкаприната ( кривая 2. [26] |
Различные области дисперсии в ц и к могут приводить к смене знака диэлектрической анизотропии. Так, жидкокристаллические смеси ЖК-999 и ЖК-ЮОО ( см. табл. 26.3) имеют на низких частотах Де 0, а на высоких частотах - As-0. Смена знака происходит на частотах порядка нескольких килогерц. [27]
 |
Изменения спектра поглощения при наложении электрического поля в эффекте гость - хозяин. а - без поля. б - в поле, соот. [28] |
Эффект может наблюдаться в нематиках как с положительной, так и с отрицательной диэлектрической анизотропией. Ряд известных в настоящее время красителей дает уверенное переключение из желтого в оранжевый или из светло-голубого в синий. [29]
 |
Зависимость факторов замедления g и ускорения gj для времен дебаев-скои релаксации от высоты потенциального барьера, определяющего нематиче-ский порядок. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5