Диэлектрическая анизотропия
Cтраница 3
Тогда вследствие низкочастотной дисперсии ец на некоторой частоте / 0 происходит инверсия знака диэлектрической анизотропии НЖК. [31]
Замещение атома водорода в экваториальном положении на циано-группу позволяет создать вещества с высоким значением отрицательной диэлектрической анизотропии и вязкостью, меньшей, чем у 2 3-дицианфениловых эфиров алкилци-клогексанкарбоновых кислот. [32]
Аналогичные выражения получатся при ориентации вектора Е вдоль оси у, соответствующей другому главному направлению диэлектрической анизотропии. Эти соотношения для фазы коэффициента отражения являются основными при последующих расчетах. [33]
На рис. 4.16, а изображена обычная электрооптическая ячейка с планарной ориентацией НЖК, обладающего положительной диэлектрической анизотропией. [34]
В предыдущих параграфах мы рассматривали случач, когда электрическое поле деформирует НЖК, воздействуя на его диэлектрическую анизотропию Ае. При этом дипольные моменты молекул JA играли лишь неявную роль, определяя величину и знак Ае. В принципе, результаты § § 4.2 - 4.5 остаются в силе и для НЖК с бездипольными молекулами, имеющих небольшую положительную диэлектрическую анизотропию. Поскольку у молекул НЖК магнитные моменты, как правило, отсутствуют, рассматриваемый в данном параграфе эффект не имеет магнитного аналога. [35]
Анализ результатов показывает, что основными факторами, влияющими на разрешающую способность, являются толщина слоя и диэлектрическая анизотропия. Оптическая анизотропия и отношения модулей упругости К2г1Кц и Кзз1Кц мало влияют на разрешающую способность ПВМС. [36]
Как было указано в разделе 4.1, главные оси механической анизотропии упругих свойств совпадают с главными осями диэлектрической анизотропии. Поэтому, определяя с помощью описанной микрорадиоволновой установки оси диэлектрической анизотропии, тем самым определяем положение осей механической анизотропии. [38]
Для ЖК индикаторов, использующих эффект гость-хозяин, в качестве растворителей для красителей применяются материалы как с положительной диэлектрической анизотропией ( ZLI-1957 / 5, 2444 [345, 351] и другие материалы на основе фенштциклогексанов [363]), так и с отрицательной. В последнем случае в смесь вводят добавки соединений, молекулы которых имеют большое значение поперечного дипольного момента. С увеличением концентрации гидрохиноновой добавки независимо от длины ее молекулы практически линейно растут и вязкость, и диэлектрическая анизотропия. [39]
В [69] исследован 5-эффект в тонких ( порядка 1 - 2 мкм) гомеотропно ориентированных слоях с положительной диэлектрической анизотропией. [40]
Имеется достаточное число наблюдений ЭГД неустойчивости в виде доменных картин или динамического рассеяния света в нематических фазах с положительной диэлектрической анизотропией. Попытки объяснения этих явлений весьма противоречивы и совершенно запутывают читателя. А между тем проблема эта имеет достаточно четкую интерпретацию, основанную на привлечении только двух рассмотренных выше моделей - изотропной и модели Карра - Хелфриха. [41]
Для аналогичных целей предназначены материалы, содержащие производные циклогексана с циан-группой в г / мс-ттоложении, что обеспечивает соединению большую отрицательную диэлектрическую анизотропию. Наименьшей вязкостью обладает смесь 1, в состав которой входят производное цис-циан-бициклогексана, фенилциклогексановые разбавители, а также большое количество производных толана, которые при малом значение вязкости имеют высокое значение температуры просветления и низкую величину энтальпии плавления, что существенно расширяет нематическии диапазон и делает возможным наружное применение устройства этим ЖКМ. Наличие производных толана увеличивает также величину двулучепреломления An, что влияет на уровень светорассеяния жидкокристаллическим элементом во включенном состоянии, т.е. на его контраст. Сравнительно низкое значение вязкости имеет смесь 2 на основе трициклических соединений с этано-вым мостиком и фтором в ме ш-положении. [42]
Оно максимально, например, в отсутствие электрического поля, когда оси молекул красителя, внедренных в жидкий кристалл с положительной диэлектрической анизотропией, совпадают с Направлением колебаний электрического вектора падающей световой волны, и минимально При совпадении осей молекул с направлением распространения света. [43]
Последняя уменьшается с ростом частоты, причем на низких частотах питающего напряжения ДЕ 0, а при частотах, превышающих некоторое критическое значение / о, диэлектрическая анизотропия Становится отрицательной. [44]
 |
Расходимость вынужденного шага Р ( d с уменьшением толщины ячейки, стенки которой обработаны так, чтобы получить гомеотропную ориентацию молекул ХЖК. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5