Диэлектрическая анизотропия
Cтраница 4
Обратная пропорциональность времени тг квадрату поля не является подтверждением формулы для тг, приведенной в [112], так как квадратичная зависимость вообще характерна для всех эффектов в жидких кристаллах, которые обусловлены связью поля с диэлектрической анизотропией. [46]
В качестве основы при создании жидкокристаллических смесей для динамического рассеяния света могут быть использованы материалы ЖК-404, ЖК-404И, ЖК-440, У-1, У-2 ( см. табл. 26.3), обладающие широким температурным интервалом нематической фазы, малой отрицательной диэлектрической анизотропией и приемлемым значением вязкости. [47]
Размеры входящих в них включений всегда значительно превышают размеры молекул и в некоторых случаях, например для стекловолок-нистых и слоистых пластиков, размеры включений ( волокон) соизмеримы с длиной волны и даже превышают ее. Диэлектрическая анизотропия в таких материалах создается за счет упорядоченности частиц, наполняющих полимер, а для стекловолокнистых и слоистых пластиков - определенной ориентацией волокон в заданном направлении. Направление преимущественной ориентации определяется с помощью поляризационного метода. [49]
Известно, что ячейка с холестериче-ским жидким кристаллом, имеющим конфокальную текстуру, сильно рассеивает свет. Если диэлектрическая анизотропия ХЖК положительна ( Де0), то при включении электрического поля происходит полная раскрутка холестерических спиралей, что означает переход из холестерической фазы в нематическую. Структура образовавшегося под действием электрического поля яема-тического жидкого кристалла гомеотротша, и ячейка становится совершенно прозрачной. [50]
НЖК [13], гаоэтому формула (6.1) к нему не применима. Увеличение диэлектрической анизотропии НЖК приводит к уменьшению как Un, так и UP & Q. Поскольку для выключения сигнала твист-эффекта не требуется полного возвращения НЖК к исходной структуре, твыкл в этом случае в несколько ipaa уменьшается по сравнению с другими эффектами. [51]
В основе микрорадиоволнового метода исследования напряженно-деформированного состояния изделий, так же как и в оптике, лежит явление искусственного двойного лучепреломления, возникающего в первоначально изотропных диэлектрических материалах и изделиях под воздействием напряжений. При этом диэлектрическая анизотропия описывается диэлектрическим тензором второго ранга и может быть связана с тензором напряжений и деформаций. [52]
Наиболее резкий максимум наблюдается при Яо 8 3 мм при расстоянии среза приемно-излучающей антенны от поверхности исследуемого образца / 1 2 мм. Для определения диэлектрической анизотропии полимерных материалов и положения главных осей вращают исследуемый образец относительно оси антенны или антенну относительно исследуемого участка изделия. [53]
Благодаря наличию диэлектрической анизотропии молекулы холестерического жидкого кристалла, так же как и нематического, могут ориентироваться электрическим полем. [54]
Существенно, что эти осцилляции должны проявляться при постоянном поле, а не в такт полю, как в диэлектрическом режиме. Условиями наблюдения осцилляции являются небольшая положительная диэлектрическая анизотропия, специально выбранная величина напряжения, слегка превышающая порог эффекта Фредерикса, относительно низкая вязкость и электропроводность и малая толщина ячейки. По существу, распространяющиеся гидродинамические моды являются решениями тех же самых уравнений (5.38) - (5.41) при учете граничных условий для случая, когда время диэлектрической релаксации TC соизмеримо с временем релаксации директора Т, зависящим от поля. Для частот осцилляции расчет дает 1 - 10 Гц, для скор стей их распространения - десятки микрометров в секунду. [55]
Поместим перед нагруженным образцом приемную и излучающую антенны таким образом, чтобы их плоскости поляризации были взаимно перпендикулярны. При этом главные оси диэлектрической анизотропии пусть не совпадают с плоскостями поляризации антенн. [56]
При этих измерениях нужно обратить особое внимание на величину прижимного усилия. Значительные прижимные силы могут вызвать диэлектрическую анизотропию или вытекание пластичного образца из измерительного пространства. Чтобы предотвратить эти нежелательные явления, необходимо измерять и ограничивать прижимное усилие и, кроме того, конструктивно исключать возможность вытекания пробы из измерительного пространства. [57]
 |
Измерительное устройство в виде плоского конденсатора переменной емкости. [58] |
В работе [121] показано, что основное внимание при использовании этих методов необходимо обращать на прижимное усилие. Значительные прижимные силы могут вызвать диэлектрическую анизотропию или вытекание эластичного образца из измерительного устройства. Чтобы предотвратить эти нежелательные явления, необходимо измерять и ограничивать прижимное усилие. Ошибки возможны и в том случае, если поверхность образца неровная или поверхности его не строго параллельны. Воздушный зазор, появляющийся между электродами и образцом, искажает результаты измерений. Измерение удельного объемного электрического сопротивления эластичных магнитных материалов, их диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь на частоте 50 Гц проводится обычными стандартными методами. [59]
 |
Диэлектрическая проницаемость n - азоксианизола в зависимости от температуры. 6ц совпадает с направлением. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5