Cтраница 2
Схема для измерения фотопроводимости вы-сокоомных образцов. [16] |
Кратко рассмотрим вопрос о размерах образцов, наиболее выгодных для измерения фотопроводимости. [17]
Данные о значении времени жизни носителей заряда, полученные по измерениям фотопроводимости и ФЭМ-эффекта, будут различаться, так как эти методики дают различным образом усредненные значения времен жизни основных и неосновных носителей заряда. [18]
Выбор количественной характеристики фотопроводимости определяется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [19]
Выбор количественной характеристики фотопроводимостиЪпре - деляется задачей экспериментального исследования и используемой схемой измерения фотопроводимости. Явление фотопроводимости давно привлекает внимание и как мощный инструмент исследования в физике полупроводников, и как явление, имеющее широкое техническое применение. В этой области выполнено очень большое число исследовательских работ и получен обширный экспериментальный материал, разнообразный как по исследовавшимся полупроводникам, так и по используемым методикам исследования фотопроводимости. Интерпретация многих физических явлений в физике фотопроводимости еще недостаточно разработана теоретически, однако следует заметить, что по исследованию фотопроводимости получены сведения о различных свойствах зонной структуры и примесных состояний, а также о характеристиках неравновесных явлений в полупроводниках. [20]
Изучение фотоэлектрических явлений в высокоомных веществах, к которым чаще всего относятся катализаторы, обычно бывает ограничено измерениями фотопроводимости. Даже в совсем недавно выполненной работе Чана и Пратера [16] по измерению коэффициента Холла на катализаторе ZnO с добавками более важный фотоэффект Холла не принят во внимание. Коэффициент Холла отражает изменение типа проводимости, интенсивности фотовозбуждения и температуры, что позволяет дополнить результаты измерения фотопроводимости, особенно в тех условиях. [21]
На рис. 3.5.1 схематически показаны поперечное сечение мишени видикона на a - Si: H и цепь для измерения фотопроводимости. [23]
Фотополупроводниковые свойства агрегированного хлорофилла и родственных пигментов исследовались в нашей лаборатории следующими методами [4-7, 16]: 1) методом измерения поперечной фотопроводимости при постоянном напряжении и прерывистом освещении ( 50 - 150 гц), при этом применялась осцилло-графическая установка [17], позволявшая измерить время релаксации проводимости в пределах 10 - 2 - 10 - 6 сек. [24]
Влияние никеля на время жизни носителей заряда в германии для различных значений удельного сопротивления. [25] |
Необходимо заметить, что количественное выражение упомянутых выше свойств зависит от индивидуальности элемента-примеси, и часто для идентификации примесей привлекают эффект Холла и измерения фотопроводимости. Вследствие большой чувствительности к содержаниям примесей электронные свойства материала дают очень ценную и большую аналитическую информацию даже тогда, когда не удается идентифицировать эти примеси. [26]
Для исследования фотополупроводниковых свойств хлорофиллов я, а Ь, метилхлорофиллидов а, а & и экстракта совокупности пигментов зеленого листа применялись методы измерения фотопроводимости и фотоэлектродвижущей силы в четырех различных вариантах с прерывистым и постоянным освещением, в частности без контактов с металлическими электродами. [27]
Использование арсенида галлия для изготовления обычных фотосопротивлений или фотовольтаических приемников вызвало незначительный интерес, хотя на этом материале проводились исследования времени жизни основных и неосновных носителей с помощью измерений фотопроводимости и фотоэлектромагнитного эффекта ( см. разд. [28]
Обычно источник высокоинтенсивных фотонов, работа которого все время поддерживается на постоянном уровне, снабженных. Измерения фотопроводимости и ФЭМ-эффекта производятся в условиях разомкнутой и замкнутой цепи. [29]
Нужно было бы принять во внимание тот факт, что время спадания фотопроводимости не всегда дает время жизни свободной пары. Измерения фотопроводимости дают большее из двух времен жизни; время жизни свободной пары есть, по определению, меньшее из двух. [30]