Измерение - фотопроводимость
Cтраница 3
 |
Ток фотопроводимости. [31] |
Высокая чувствительность этого метода позволяет наблюдать в пленках эффекты, которые нельзя обнаружить визуально. Судя по измерениям фотопроводимости, трифенилметановые красители медленно необратимо разлагаются видимым светом в вакууме. [32]
При освещении светом малой интенсивности фотопроводимость возникала исключительно вследствие генерации пар свободных электронов и дырок. Следовательно, l pkr, где р берется из измерения фотопроводимости, а тг-время жизни в данном образце. [33]
Предварительные исследования показали, что электронная электропроводность в продуктах термолиза ПАН, которая определяется я-электронами систем сопряжения, маскируется посторонней проводимостью ионного характера. Поэтому при изучении связи сопряжения с электрическими свойствами были привлечены измерения фотопроводимости. Поскольку фотопроводимость всегда электронная и наблюдается, как показывает опыт, в области поглощения сопряженных связей, то ее изменения при термолизе ПАН отражают лишь те изменения электрических свойств полимера, которые связаны исключительно с превращением ПАН в полимер с сопряженными связями. [34]
В настоящее время разработан целый комплекс методов, позволяющих путем параллельного исследования люминесценции и фотопроводимости определять многие параметры центров свечения и захвата, необходимые для физико-химических расчетов. Но уже из того, что было изложено, видна суть дела: измерения фотопроводимости, позволяющие определить абсолютную величину концентрации одного из участников процесса - свободных носителей заряда, дают возможность по кинетическим уравнениям найти другие входящие в эти уравнения параметры. Таким путем было показано, в частности, что в соединениях группы AnBVI, как правило, реализуется схема Риля - Шена - Класенса, а не Лэмба - Клика. [35]
 |
Схема установки для измерения конденсаторной фотоэдс. [36] |
Наблюдаемые явления безусловно обязаны первичным фотоэлектрическим процессам. При данном методе были исключены контакты слоя с электродами и недостатки обычного метода измерения фотопроводимости были уменьшены. В пределах применяемых интенсивностей ( 10 - - 10 - 3 вт-см-2) измеряемый на выходе фотопотенциал был пропорционален интенсивности падающего света. [37]
В качестве объектов исследования были выбраны два органических красителя разных классов - пинацианол и грипафлавин, фотопроводимость которых при комнатной температуре практически безынерционна. С другой стороны, фотоэлектрическая чувствительность у этих соединений достаточна для того, чтобы проводить измерения фотопроводимости у слоев толщиной вплоть до 20 - 30 ммк. Фототек у пинацианола и трипафлавина линейно связан с интенсивностью падающего света. [38]
Эти помехи могут быть связаны с так называемыми шумами в образце или в первых каскадах усилителя либо с индукционными наводками посторонних сигналов на схему. Если величина сигнала помех сравнима с величиной v или больше, чем v, то измерение фотопроводимости ( в рассматриваемой нами схеме) становится невозможным. В связи с этим при измерении малых До в качестве важной характеристики возможностей измерительной системы ( включающей образец и схему) выступает так называемый порог чувствительности, определяющий минимальную интенсивность света ( возбуждения), которая еще может быть зафиксирована, условно - интенсивность света, которая создает сигнал, равный сигналу помех. [39]
Явление захвата свободных носителей в фотопроводнике позволяет объяснить многие люминесцентные свойства, в частности фотопроводимость соединений типа ZnS. Так как обнаружение процесса захвата проведено непосредственно при комнатной температуре, то предложено аппаратуру ЭПР использовать для измерения фотопроводимости. [40]
Согласно [170], наличие дислокаций не должно влиять на концентрацию носителей тока в p - Ge. Опыты [514] показали, однако, что при пластической деформации низкоомного p - Ge электропроводность его заметно снижается, как-будто в объем p - Ge при его деформировании вводятся центры донорного типа. Результаты измерения фотопроводимости пластически деформированного p - Ge [507] обсуждены в рамках аналогичного допущения. Проведенное в [515, 516] рассмотрение влияния пластической деформации на концентрацию дырок в p - Ge показало, что этот эффект не обязательно должен быть связан с донорным действием дислокаций. [41]
Значения ширины запрещенной зоны равны ДЕ1 42 эВ для электрических и 1 53 эВ для оптических измерений. При измерении фотопроводимости бор ведет себя как чувствительный, но инерционный проводник. [42]
Эти измерения особенно интересны тем, что они позволяют проверить данные о положении энергетических уровней, полученные по проводимости и постоянной Холла. Полученные им по измерению фотопроводимости пороговые значения энергии почти точно совпадают с измеренными нами величинами 0 15 эв для р-типа и 0 20 эв для тг-типа. [43]
С помощью фурье-спектрометров с разрешением 0 03 - 0 1 см-1 выполнены исследования водородоподобных спектров мелких до-норных и акцепторных примесей в германии и кремнии. В кристаллах с малыми концентрациями примесей, когда несущественны межпримесные взаимодействия, линии в спектре черзвычайно узкие. Такая методика позволяет использовать высокую чувствительность метода измерения фотопроводимости [146] и выигрыши Фелжета и Жакино, справедливые для фурье-спектрометров. [44]
Изучение фотоэлектрических явлений в высокоомных веществах, к которым чаще всего относятся катализаторы, обычно бывает ограничено измерениями фотопроводимости. Даже в совсем недавно выполненной работе Чана и Пратера [16] по измерению коэффициента Холла на катализаторе ZnO с добавками более важный фотоэффект Холла не принят во внимание. Коэффициент Холла отражает изменение типа проводимости, интенсивности фотовозбуждения и температуры, что позволяет дополнить результаты измерения фотопроводимости, особенно в тех условиях. [45]
Страницы: 1 2 3 4