Гибридная интегральная микросхема

Cтраница 2

Структура гибридной интегральной микросхемы, эквивалентная схема которой показана на рис, 7 1 6. [16]

Гибридные интегральные микросхемы позволяют использовать преимущества пленочной технологии в сочетании с полупровэднико-вой технологией. Резисторы и конденсаторы, созданные методами пленочной технологии, могут при малой занимаемой площади иметь большие номиналы и малые температурные изменения параметров, зависящие от выбранного резистивного или диэлектрического материала пленок. Контроль скорости осаждения или нанесения пленок в процессе создания резисторов и конденсаторов позволяет изготовлять их с большой точностью и малым разбросом параметров. [17]

Гибридная интегральная микросхема - ИМС, содержащая кроме элементов компоненты и ( или) кристаллы. Разновидность гибридной ИМС - многокристальная ИМС. [18]

ТонкоплЕночние индуктивности. [19]

Толстопленочная гибридная интегральная микросхема представляет собой пассивную схему из толстопленочных элементов ( проводников, резисторов, конденсаторов) на керамическом основании, с навесными активными элементами. Гибридные схемы, изготовленные по толстопленочной технологии, отличаются хорошими электрофизическими параметрами и сравнительно недороги. Они характеризуются высокой надежностью и стабильностью при длительном воздействии влаги. Такие свойства обеспечивает материал - стекла, благородные металлы и керамика, практически неокисляемые до относительно высоких температур. [20]

Гибридной интегральной микросхемой называют ИМС, содержащую диэлектрическое основание ( подложку), все пассивные элементы на поверхности которой выполняются в виде однослойных или многослойных пленочных структур, соединенных неразрывными пленочными проводниками, а полупроводниковые приборы, в том числе ИМС и другие компоненты ( миниатюрные керамические конденсаторы, индуктивности и др.), размещены на подложке в виде дискретных навесных деталей. Транзисторы и другие полупроводниковые приборы в пленочном исполнении не нашли применения, так как получение в производственных условиях монокристаллических тонких пленок полупроводника с удовлетворительной структурой является очень сложной задачей. [21]

Гибридной интегральной микросхемой ( ГИС) называется ИС, имеющая диэлектрическое основание ( подложку), на поверхности которой все пассивные элементы ( резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности) выполняются в виде однослойных или многослойных пленочных структур, соединенных неразрывными пленочными проводниками, а полупроводниковые приборы, в том числе ИС и другие компоненты размещены на подложке в виде дискретных навесных деталей. [22]

Для гибридных интегральных микросхем применяются круглый металлостеклянный корпус диаметром 9 4 мм с 8 и 12 выводами, метал-лостеклянный квадратный корпус со стороной квадрата 24 6 мм, имеющий 18 выводов, корпуса пенального вида ( рис. 5 63, б) и другие типы корпусов. [23]

Гибридная микросхема. [24]

Технология гибридных интегральных микросхем базируется на использовании толстых и тонких пленок, нанесенных на керамическое основание. Пленки изготовляются из специальных паст. [25]

Металлостеклянный круглый корпус.| Керамический плоский корпус. [26]

Для гибридных интегральных микросхем применяют в основном три вида корпусов: металлостеклянный круглый, металлокерамический плоский и металлостеклянный плоский. [27]

Для гибридных интегральных микросхем применяют в основном три вида корпусов: металлостеклянный квадратный, металло-стеклянный круглый и корпус пенального вида. [28]

Общий вид монтажа гибридной микросхемы.| Гибридная микросхема в корпусе. [29]

Надежность гибридных интегральных микросхем довольно высокая, среднее время безотказной работы при испытаниях в наиболее тяжелых режимах может достигать 10е ч и более. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5