Гибридная интегральная микросхема
Cтраница 3
Изготовление гибридных интегральных микросхем перспективно для устройств с относительно небольшим числом активных элементов. [31]
В гибридных интегральных микросхемах применяют активные элементы, которые изготовляют по обычной технологии и монтируют на подложке, присоединяя к соответствующим контактным площадкам. [32]
 |
Разделение полупроводниковых элементов. [33] |
В гибридных интегральных микросхемах ( ГИС) часть элементов имеет самостоятельное конструктивное оформление. [34]
В гибридных интегральных микросхемах применяют бескорпусные полупроводниковые приборы, вместо корпуса используют специальную защитную пленку. [35]
В гибридных интегральных микросхемах в качестве активных элементов применяют дискретные полупроводниковые приборы. По способу герметизации они делятся на бескорпусные и корпусные. Так как бескорпусные приборы имеют малые габариты и массу, применение их в гибридных интегральных микросхемах следует считать наиболее целесообразным и перспективным. [36]
В гибридных интегральных микросхемах транзисторы и диоды представляют собой самостоятельные конструктивные элементы. [37]
 |
Структура гибридной интегральной. [38] |
Если же гибридная интегральная микросхема состоит из нескольких полупроводниковых интегральных микросхем, то ее отличительной особенностью может быть, наоборот, многофункциональность. Производство таких гибридных интегральных микросхем должно быть массовым. [39]
Если же гибридная интегральная микросхема состоит из нескольких полупроводниковых интегральных микросхем, то ее отличительной особенностью может быть, наоборот, многофункциональность. Производство таких гибридных интегральных микросхем должно быть массовым. [40]
Что представляет собой гибридная интегральная микросхема. [41]
Размер корпуса гибридной интегральной микросхемы определяется из выбранного габаритного размера подложки с учетом дополнительных зон для несущей конструкции и выводов. [42]
 |
Проволочным монтаж кристаллов. [43] |
Современная технологии гибридных интегральных микросхем позволяет получить плотность пассивных и активных элементов порядка 100 см-2, при этом более высокую плотность имеют тонкопленочные схемы. [44]
Пассивные элементы гибридных интегральных микросхем изготовляют обычно на ситталовой, керамической или стеклянной подложке путем нанесения различных диэлектрических, резистив-ных и металлических пленок. На этой же подложке выполняют межэлементные и межкомпонентные соединения, а также контактные площадки. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5