Гибридная интегральная микросхема

Cтраница 4

Диодная матрица с гибкими выводами. [46]

Особенностью конструирования гибридных интегральных микросхем является сочетание конструктивных и технологических решений, связанных с формированием тех или иных компонентов схемы. Рассмотрим основные этапы изготовления гибридных интегральных микросхем. [47]

Плотность упаковки гибридных интегральных микросхем несколько меньше - до 150 эл / см3, степень интеграции - - первая и вторая. Гибридные интегральные микросхемы перспективны для устройств с небольшим количеством элементов, в которых может быть обеспечена высокая точность параметров. [48]

Плотность упаковки гибридных интегральных микросхем несколько меньшая - до 150 эл / см3, степень интеграции также меньше аналогичного параметра полупроводниковых интегральных микросхем. [49]

Как для гибридных интегральных микросхем, так и для полупроводниковых интегральных микросхем, изготовленных по совмещенной технологии, процессы создания активных и пассивных элементов разнесены во времени. [50]

Применяемые для гибридных интегральных микросхем подложки должны отвечать ряду специфических требований, к числу которых относятся: плоскостность, высокий класс чистоты обработки поверхности, большая механическая прочность, хорошая теплостойкость и теплопроводность. [51]

Рассмотрены особенности монолитных и гибридных интегральных микросхем ( ИМС) и их элементов. Дано описание основных ячеек аналоговых ИМС. Подробно рассмотрены операционные усилители. Рассмотрены основные типы цифровых ИМС на биполярных и униполярных транзисторах и построенные на их основе триггерные системы. Дано описание интегральных компараторов напряжений. [52]

Рассмотрены особенности монолитных и гибридных интегральных микросхем ( ИМС) и их элементов. Подробно рассмотрены операционные усилители общего и специального назначения. Рассмотрены основные типы цифровых ИМС на биполярных и униполярных транзисторах и построенные на их основе 1риггерные системы. Дано описание интегральных компараторов напряжений. [53]

Конструкция конденсатора в гибридной микросхеме.| Крепление навесных компонентов в гибридной микросхеме. [54]

Проводники в гибридной интегральной микросхеме обеспечивают необходимое соединение элементов между собой, и их подключение к выводным зажимам обычно выполняют в виде тонкой пленки золота, меди или алюминия с подслоем никеля, хрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию к изоляционному основанию, а слой золота, меди или алюминия - высокую электрическую проводимость. [55]

В тракте используется гибридная интегральная микросхема К. Связующим звеном между микросхемами служит четырехконтурный ФСС, состоящий из двухпо-лосовых фильтров. [56]

ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и узлов аппаратуры широкого применения, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, инея, росы, пониженного и повышенного давления. [57]

Проектирование и изготовление гибридных интегральных микросхем целесообразно для решения специальных, частных задач при относительно малом количестве требуемых изделий. [58]

Металлостаклянные плоские корпусы. [59]

Как выполняются резисторы гибридных интегральных микросхем. Какие параметры определяют величину сопротивления резистора. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5