Пленочная микросхема
Cтраница 1
Пленочная микросхема - микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные микросхемы. [1]
Пленочные микросхемы в большей степени, чем микромодули, представляют собой законченные электронные схемы, состоящие из пленочных деталей, наносимых па одну общую для всей схемы изоляционную подложку. Разработаны след, разновидности топких пленок: изолирующие, проводящие, сверхпроводящие, магнитные и полупроводниковые. Для изготовления микросхем широко применяется химпч. За счет рациональной конфигурации элемеитов и их компактного размещения количество соединительных проводников в микросхеме сводится к минимуму. Внедрение микросхем в практику требует нового оборудования и освоения тонких технологич. [3]
Пленочная микросхема представляет собой подложку из нейтрального материала ( например, стекла или керамики), на которую нанесены элементы. [4]
 |
Изготовление двухкас-кадного УНЧ способом вакуумного. [5] |
Пленочные микросхемы имеют однослойные или многослойные конструкции. [6]
Пленочная микросхема - микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные микросхемы. [7]
 |
Преобразование принципиальной электрической схемы усилителя ( а в коммутационную схему ( 6. [8] |
Пленочные микросхемы могут быть однослойными или многослойными. Увеличение числа слоев позволяет сократить объем микросхемы и увеличить плотность упаковки до нескольких, сотен элементов в 1 см3, но вызывает значительные технологические трудности. Обычно пленки элементов, для получения которых требуется наиболее высокая температура, наносятся первыми. Как правило, в целях лучшего тейлоотвода на поверхности подложки располагают резистивные пленки, затем проводящие пленки межсоединений и обкладки конденсаторов, далее-диэлектрические пленки. [9]
Пленочные микросхемы с навесными элементами называют гибридными. [10]
Пленочные микросхемы получают путем осаждения тонких пленок из полупроводящих, проводящих, диэлектрических и магнитных материалов на общее основание. Пленочные микросхемы могут выполняться как однослойными, так и многослойными. Элементы микросхемы неотделимы от основания и несменяемы. В качестве материала подложки чаще всего используются стекло, керамика, слюда, окись алюминия, диэлектрические материалы ( титанаты и пр. [11]
Пассивные пленочные микросхемы - пленочные микросхемы, не содержащие активных ( усиливающих или выпрямляющих) элементов. [12]
Современные пленочные микросхемы с навесными активными компонентами выполняются корпусными и бескорпусными. [13]
Метод пленочных микросхем обладает важной функциональной возможностью. С-цепи с распределенными параметрами, которые по своим электрическим характеристикам значительно отличаются от цепей с сосредоточенными постоянными. [14]
В пленочных микросхемах применяют также осаждение магнитных, люминесцентных, фотоэлектрических и других пленок. [15]
Страницы: 1 2 3 4