Пленочная микросхема
Cтраница 2
В бескорпусных пленочных микросхемах применяют малогабаритные бескорпусные транзисторы и микрорезисторы в стеклянной изоляции. [16]
 |
Внешний вид высоковакуумной многопозиционной установки с металлическим колпаком. [17] |
Для получения пленочной микросхемы с оптимальными характеристиками, необходимо тщательно выбирать технологические методы изготовления ее отдельных компонентов. [18]
 |
Технологический маршрут получения резмстивного и проводящего элементов методом двойной фотолитографии. [19] |
При производстве пленочных микросхем, содержащих проводники и резисторы из двух различных ( высокоомного и низкоомного) резистивных материалов, рекомендуется такая последовательность операций: поочередное напыление пленок сначала высокоомного, затем низкоомного резистивных материалов; напыление материала проводящей пленки; фотолитография проводящего слоя; фотолитография низкоомного резистивного слоя; фотолитография высокоомного резистивного слоя; нанесение защитного слоя. [20]
В конструкции пленочной микросхемы часто возникает необходимость пересечения одного проводника с другим. Пересечение представляет собой, по существу, микроконденсатор, так как между проводниками возникает паразитная емкостная связь. Для изоляции между проводниками применяется в большинстве случаев моноокись кремния и халькогенидное стекло. [21]
Конструктивное исполнение пленочных микросхем позволяет осуществить мощные ( до 100 Вт) электрические схемы, работающие при больших значениях напряжения. Активные элементы пленочных микросхем выполняются в виде дискретных бескорпусных транзисторов, диодов, матриц диодов или бескорпусных микросхем. [22]
При изготовлении пленочных микросхем маски могут использоваться многократно. [23]
В производстве гибридных пленочных микросхем наибольшее развитие получили две технологии: толстопленочная и тонкопленочная. [24]
Подложки в пленочных микросхемах играют важную роль. Во-первых, подложка является конструктивной основой пленочной микросхемы. На нее наносят в виде тонких пленок пассивные элементы и размещают контакты для подключения микросхемы в аппаратуру. Во-вторых, материал подложки и его обработка оказывают существенное влияние на параметры осаждаемых пленочных слоев и на надежность всей микросхемы. [25]
Микромодульные конструкции, пленочные микросхемы, интегральные и гибридные схемы позволяют создать микроминиатюрную аппаратуру, обладающую высокими качествами и большой плотностью КОМПОНОВКИ. [26]
Гибридная микросхема - комбинированная пленочная микросхема, в которой некоторые элементы ( обычно активные) имеют самостоятельное конструктивное оформление и монтируются на подложке в качестве навесных элементов. [27]
В отличие от пленочных микросхем, где элементы формируются на поверхности изоляционного основания в виде пленок проводящих, резистивных, диэлектрических, в полупроводниковой микросхеме элементы выполняют на базе полупроводникового основания-кристалла за счет локального изменения электрофизических свойств материала. [28]
Особенностью фотолитографии для пленочных микросхем является широкий диапазон применяемых материалов и значительно большая, чем в полупроводниковом кристалле, площадь обработки, на которой необходимо получить рисунок. [29]
Методы селективного травления пленочных микросхем, позволяют получать схемы с резисторами, контактными площадками, проводниками и конденсаторами. [30]
Страницы: 1 2 3 4