Cтраница 2
Зависимость вязкости водных, растворов смесей желатины и поливинилацеталя ( суммар. [16] |
Химическое осаждение полимерами, которые увлекают с собой всю твердую фазу, может быть осуществлено 1) путем обратимого перехода полимера в нерастворимое состояние при понижении рН и 2) путем образования при определенных рН водонерастворимых комплексов полимера с желатиной. [17]
Зависимость кажущихся объемов осадков в системе ZnSO4 - NaOH - Н2О от мольного соотношения компонентов. в исходной смеси. [18] |
Химическое осаждение и процессы, протекающие в изучаемой системе, могут быть иллюстрированы диаграммой: кажущийся объем осадка - состав осадка. Под кажущимся объемом осадка предложено понимать его объем, определяемый в процессе седиментации по линии видимой границы между прозрачным раствором и сильно гидратированным осадком. В зависимости от способа проведения эксперимента диаграмма может характеризовать или кинетику седиментации суспензии, или состав осадка, или процесс его старения. [19]
Схема установки трафаретной печати.| Схема конвейерной печи для вжигаиия толстопленочных ИС ( а и один из примеров температурного режима обжига ( б. [20] |
Химическое осаждение из газообразной и жидкой фазы позволяет получать изоляционные, полупроводиковые и проводниковые пленки. Разложением SiCl4 получают пленки поликристаллического кремния. Такие пленки используются при изготовлении самосовмещающихся затворов кремниевых полевых транзисторов. Электрохимические методы формирования диэлектрических пленок пригодны для построения конденсаторов с повышенной электрической прочностью. [21]
Химическое осаждение из газовых смесей осуществляется в реакторах при 700 - 1000 С, куда загружаются обрабатываемые детали. Через реактор с определенной скоростью продувается газовая смесь, которая, например, при осаждении нитрида титана можея состоять из тетрахлорида титана, водорода и азота, а при осаждении оксида алюминия - из треххлор истого алюминия, углекислого газа и водорода. [22]
Газофазное химическое осаждение ( ГФХО) является одним из наиболее эффективных методов получения различных углеродных материалов. Фазовый состав, структурные характеристики и другие свойства ГФХО пленок определяются условиями активации газовой смеси. В данной работе представлены результаты исследования состава газовой смеси водорода и метана, активированной разрядом постоянного тока. [23]
Химическое осаждение пленок - это направление, которое конкурирует со способом вакуумного испарения, имея ряд достоинств перед ним. [24]
Химическое осаждение слоя меди толщиной - 2 мкм проводят в щелочных растворах, содержащих формальдегид в качестве восстановителя. [25]
Химическое осаждение тонких пленок металлов ( толщиной в несколько сотен ангстрем) на гладкой поверхности стекла имеет целый ряд особенностей, отличающих его от осаждения сравнительно толстых ( несколько микрон) покрытий на металлы и шероховатые поверхности диэлектриков. Эти особенности в литературе практически не освещены, что безусловно затрудняет химическое получение тонких пленок и их использование в технике. [26]
Против химического осаждения говорит также тот факт, что в боксите постоянно встречаются алюмосиликаты. Маловероятно, хотя в отдельных случаях все же возможно, чтобы в естественных условиях встречались растворы столь кислые, чтобы они могли перенести алюминий, железо и титан на большие расстояния. Предполагается, что совместное растворение кремнезема и гидроокиси алюминия возможно при величине рН раствора, равной 9 и выше, которой для естественных условий, как правило, нельзя ожидать. Кроме того, при такой концентрации раствора железо полностью нерастворимо. [27]
Методом химического осаждения получают покрытия толщиной до 30 мкм и более. Наиболее широко используют осаждения на упрочнители никеля, в меньшей степени меди, хрома, кобальта. [28]
Метод химического осаждения из паровой фазы обеспечивает достаточную скорость осаждения ( порядка 1 мкм / мин) и поэтому привлек внимание как метод, пригодный для промышленного производства. На основе реакции, описанной в разд. Наибольшую трудность представляет получение требуемых значений критической плотности тока для достаточно толстых слоев, пригодных для практического применения. [29]
Метод химического осаждения из газовой фазы основан на выделении вещества из его летучих соединений вблизи подложки или на поверхности подложки в результате химических реакций. [30]