Химическое осаждение
Cтраница 3
Метод химического осаждения из газовой фазы ( получивший название FT) основан на конденсации газообразных соединений с образованием твердых осадков. По данному методу наносятся покрытия на многогранные пластинки твердого сплава. Более половины многогранных пластин в настоящее время выпускаются с износостойкими покрытиями. Материалами для покрытий служат: TiC; TiN. [31]
Метод химического осаждения заключается в погружении металлических деталей в раствор соли металла с более электроположительным потенциалом. [32]
Процесс химического осаждения ведут непрерывно с автоматическим регулированием основных параметров. [33]
Процесс химического осаждения ведут непрерывно с автоматическим регулированием основных параметров. [34]
 |
Зависимость скорости осаждения покрытия ( за 15 мин от концентрации диметилборазана ( рН 5 3. [35] |
После химического осаждения структура характеризуется аморфной и кристаллической фазами. Термообработка Ni В-покрытий приводит к изменению структуры, которая определяется температурой и продолжительностью нагрева, а также содержанием бора в покрытиях. Так, при содержании в Ni-В - покрытии 5 7 % бора часовой нагрев при температуре 250 С приводит к распаду пересы. [36]
Реакции химического осаждения, как правило, ( если не приняты специальные меры, например, применение метода гомогенного осаждения) протекают при больших пересыщениях вдали от равновесия. Это создает условия для образования нестабильных осадков с высокоактивными поверхностями из-за несовершенства их структур и наличия в них дефектов, что способствует дальнейшим необратимым структурным изменениям осадков и переходом их в более стабильное состояние. [37]
Процесс химического осаждения включает образование первичного осадка, а также хемостарение осадка. По химическому составу осадок представляет собой основную соль определенного состава NiCO3 - 2Ni ( OH) 2, которая как соль типа Фейткнехта принадлежит к системе осадок - раствор типа Б ( см. гл. [38]
Процессы химического осаждения из газовой фазы можно использовать для получения следующих функциональных слоев ИМС. [39]
Достоинствами химического осаждения из газовой фазы являются простота, хорошая технологическая совместимость с другими процессами создания полупроводниковых микросхем ( эпитаксией, диффузией) и сравнительно невысокая температура, благодаря чему практически отсутствует нежелательная разгонка примесей в пластинах. [40]
Метод химического осаждения золота и сурьмы [6] подобен никелированию, хотя и не связан с каталитическим разложением. Этот метод основан на реакциях замещения, при которых основной металл окисляется и переходит в раствор, а золото или сурьма, вытесняемые из раствора, осаждаются на его поверхности. [41]
Для химического осаждения олова на меди и ее сплавах запатентован [238] раствор, содержащий, % ( вес. [42]
Для химического осаждения железа используют раствор, содержащий: 30 г / л соли железа, 10 г / л гипофосфита натрия NaH2PO2 Н2О, 25 - 75 г / л буферных соединений и комплексооб-разователя ( лимонная кислота, сегнетова соль); среда щелочная. [43]
Примерами химического осаждения углерода являются процессы, основанные на термической диссоциации карбидов, углеродсо-держащих металлических расплавов, жидких и газообразных углеводородов. [44]
Для химического осаждения железа используют раствор, содержащий: 30 г / л соли железа, 10 г / л гипофосфита натрия NaH2PO2 Н2О, 25 - 75 г / л буферных соединений и комплексооб-разователя ( лимонная кислота, сегнетова соль); среда щелочная. [45]
Страницы: 1 2 3 4