Структура - транзистор
Cтраница 2
Схематически структура транзистора с изолированным затвором изображена на рис. X.I2. Сток и исток выполнены в виде сильнолегированных р - областей на относительно высокоомном кристалле с электронным типом электропроводности. При включении между стоком и истоком напряжения любой полярности цепь оказывается практически разомкнутой, так как один из диодов будет обязательно включен в направлении запирания. На поверхность кристалла между стоком и истоком нанесен очень тонкий слой диэлектрика, поверх которого нанесен металлический электрод. [16]
Из структуры горизонтального транзистора ( рис. 7.6) ясно, что для получения большего коэффициента передачи тока эмиттера или базы необходимо, чтобы площадь донной части эмиттерной области была мала по сравнению с площадью боковых частей этой области. [17]
Различия структур транзисторов с индуцированным и встроенным каналами достаточно условные. В принципе в одной и той же структуре может получиться как индуцированный, так и встроенный канал / г-типа, но при различных значениях положительного поверхностного заряда Qnon ( см. § 1.8): при малом QnoB - индуцированный, при большом - встроенный. [18]
Влияние структуры транзисторов с различным соотношением этих величин на эффективность ТПУ подтверждается экспериментальными результатами. [19]
Рассмотрим структуру транзистора с самосовмещенным затвором. Основные технологические этапы ее изготовления поясняет рис. 5.3. Структуру создают на полуизолирующей подложке из арсенида галлия. Слой л-типа ( рис. 5.3, а) для канала каждого транзистора микросхемы формируют селективным ионным легированием подложки кремнием через маску из диоксида кремния. Пороговое напряжение транзисторов [ см. формулу (5.1) ] регулируется изменением дозы ионов кремния. Например, при одинаковой энергии ионов, равной 59 кэВ, доза для нормально закрытых транзисторов 1012 см-г и вдвое больше для нормально открытых. Затем наносят металлический затвор 3, материалом которого служит сплав титан - вольфрам. [20]
В структуре транзистора, изолированного р-п переходом, помимо основного п-р - п существует паразитный р-п - р транзистор. Его эмиттер - базовый слой 5 ( 13) основного транзистора ( см. рис. 3.1), база - коллекторная область 2 со скрытым слоем 3, а коллектор - подложка. [21]
В структуре транзистора можно выделить активную область базы, лежащую под эмиттером, где поток неосновных носителей практически одномерный и где протекают основные процессы токопереноса. В пассивной и периферийной областях базы П1 и П2 имеют место краевые эффекты, которые учитываются дополнительно. [22]
В структурах транзисторов широко используют слои поликристаллического кремния, легированного нужными примесями. В процессе изготовления микросхем эти слои могут служить источниками примесей при формировании методом диффузии эмиттерных областей и областей сильнолегированной пассивной базы. Для технологических процессов характерно многократное применение метода самосовмещения ( см. § 3.2), что позволяет уменьшить наиболее критичные размеры структуры. [23]
Какие бывают структуры транзисторов и как они обозначаются на схемах. [24]
 |
Принципиальная схема каскада ОЭ. Ri - сопротивление источника сигнала. Л. - сопротивление нагрузки. [25] |
Независимо от структуры транзистора ( р-п - р или п-р - п) токи и напряжения его электродов в рабочей области условимся считать положительными. [26]
Плоская модель структуры транзистора ( рис. 4 - 1 6) отражает реальное различие в площадях обоих р - n - переходов. [27]
Таким образом, структура транзистора представляет собой две параллельные части с отдельными истоковыми областями. [28]
 |
Включение транзистора по схеме с общим эмиттером.| Включение транзистора по схеме с общим коллектором. [29] |
В большинстве случаев структура транзистора выполняется несимметричной, так что ша и соответственно коэффициент передачи в схеме с общим коллектором меньше, чем в схеме с общим эмиттером. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5