Структура - транзистор
Cтраница 3
 |
Структура ( а и условное обозначение ( б поверхностно-зарядового транзистора. [31] |
Кроме этих электродов структура поверхностно-зарядового транзистора имеет третий электрод, называемый передаточным затвором ( 3), который частично перекрывает исток и приемник. [32]
 |
Эквивалентная схема транзистора. [33] |
Для анализа влияния структуры транзистора на эффективность ТПУ можно воспользоваться эквивалентной схемой [1], приведенной на рис. 3, в которой не учтены индуктивности и емкости выводов и влиянием которых в первом приближении можно пренебречь. [34]
Отсутствие дефектов в структуре Транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. [35]
На рис. 3.12 приведена структура транзистора ( с комбинированной изоляцией), в которой используются два слоя поликристалличе-ского кремния. При изготовлении транзистора этот слой служит источником акцепторных примесей, диффундирующих в пассив, ные области базы р - типа и уменьшающих их удельное сопротивление. [36]
На рис. 7.15 показаны структура транзистора с изолированным затвором ( а) и схема замещения ( б), достаточно полно отображающая его свойства на высоких частотах. Однако эта схема замещения сложна, поэтому на практике применяют более простую схему рис. 7.15, в. Величина Ci в этой схеме определяется емкостью затвора на канал Сзк. [37]
Кроме этих двух электродов структура поверхностно-зарядового транзистора имеет третий электрод, называемый передаточным затвором ( 3), который частично перекрывает исток и приемник. После приложения напряжения к истоку в транзисторе создается распределение зарядов, показанное на рис. 3.16, а. Под истоком возникает потенциальная яма, содержащая поверхностный заряд, причем дырки, попавшие в эту область под действием электрического поля, притягиваются к поверхности подложки и локализуются в узком инверсном слое. Под приемником возникает потенциальная яма, заполненная неосновными дырками, образующимися в результате термогенерации. Если используется дополнительный источник неосновных дырок, инжектирующий заряды в потенциальные ямы некоторым контролируемым образом, и если заряд устанавливается до наступления термического равновесия, то потенциальные ямы могут хранить передаваемую информацию. [38]
На рис. 5.2 приведена структура двухэмиттерного полоскового транзистора и его эквивалентные схемы, полученные на основе транзисторной эквивалентной схемы Эберса - Молла. [39]
В ИМС находят применение структуры транзисторов, которые совместимы по технологии с биполярными. [40]
Получили распространение три вида структур транзисторов: 1) решетчатая; 2) сетчатая; 3) гребенчатая. [41]
Все рассматриваемые до сих пор структуры транзисторов можно назвать горизонтальными, так как в них каналы проходят параллельно поверхности кристалла. Их размеры близки к физическим пределам. [42]
 |
Принципиальная схема npn - транзистора. Обедненные слои рп-перехо-дов заштрихованы. В пределах О я Хв расположена нейтральная базовая область. [43] |
Как видно на рис. 3.9, структура транзисторов реальных БИС отличается от схематичного изображения транзистора на рис. 3.8. Это обусловлено планарной технологией их изготовления, а также применением методов эпитаксии, диффузии и ионной имплантации. Участок, выделенный пунктиром на рис. 3.9, соответствует активной области транзистора, изображенного на рис. 3.8. Остальные участки структуры являются паразитными элементами транзистора. [44]
 |
Структура ( а и эквивалентная схема ( б транзистора ИМС со скры. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5