Структура - транзистор
Cтраница 4
На рис. 2.15, а показана структура планарно-эпитаксиального транзистора полупроводниковой ИМС со скрытым п - слоем. Его отличие от дискретного транзистора подобного типа заключается в том, что коллекторный вывод выполнен с верхней стороны исходной подложки, что и обусловливает более высокое последовательное сопротивление коллекторной области. [46]
Следует отметить и другой эффект неодномерности структуры транзистора. Во всех расчетах, вплоть до настоящего момента, считалось, что токи, протекающие через эмиттерный и коллекторный переходы, равномерно распределены по всей площади перехода. Разберем этот факт подробно с помощью рис. 11.8. Предположим, что между эмиттером и базой приложено некоторое фиксированное напряжение. [48]
Обратимся к рис. 2.19, где изображены структура транзистора и распределение плотностей тока базы и эмиттера. Ток базы транзистора состоит из дырок, рекомбинирующих с электронами в активной области базы. [49]
 |
Тепловой поток в мяого-эмнттерном ( а и многоструктур-нсм ( б транзисторах. [50] |
На рис. 7 - 10 приведена фотография структуры транзистора РТ5690, являющегося одним из наиболее совершенных многоструктурных транзисторов. В этом приборе имеется 24 структуры, соединенные в 4 группы по 6 структур. В каждой структуре имеется П - обр. [51]
 |
Структуры планарно-эпитаксиальных транзисторов. [52] |
На одной пластине одновременно изготовляется до 1500 идентичных структур транзисторов. [53]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [54]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под р-тг-переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [55]
Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Зтот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [56]
Из рис. 53 видно, что в структуре транзистора ГТ311 термические процессы обеспечивают глубину диффузионных слоев с точностью 1 - 2 мкм, а фотолитография - с точностью до 6 - 10 мкм. От качества фотошаблонов, применяемых в полупроводниковом производстве зависит выход годных структур. Для каждого процесса фотолитографии применяют специальный фотошаблон. В рассмотренном примере трижды применялся фотолитографический процесс; при изготовлении более сложных полупроводниковых приборов фотолитография применяется 5 - 7 и более раз. [57]
Переключатель Bt устанавливается в положение, соответствующее структуре проверяемого транзистора ( р-п - р или п-р - п) на все время работы с прибором. Далее следует проверить напряжение батарей. Для этого переключатель контроля батарей BS ( UI - U2) поочередно устанавливают в оба крайних положения ( вверх - для контроля Ui и вниз - для контроля U2) и нажимают кнопку включения питания. [58]
Время рассасывания неосновных носителей заряда, накопленных структурой транзистора, tp - отдельный параметр, для определения которого приходится прибегать к импульсным методам измерения временных интервалов. [59]
Расчет переходных процессов в р-п - р структурах транзисторов в общем случае сводится к решению нелинейных уравнений, что не позволяет получить универсальную характеристику, годную для различных режимов работы. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5