Планарно-эпитаксиальная технология

Cтраница 2

Последовательность форми схемы, изготовляемой по планарно. [16]

В связи с этим различают планарно-эпитаксиальную технологию ( с изоляцией элементов р - / г-переходами) и EPIC технологию с диэлектрической изоляцией. [17]

Схемы инверторов на МДП-транзисторах. [18]

Микросхемы серии 137 изготовляются по ( планарно-эпитаксиальной технологии. [19]

Преобразователь выполнен на биполярных транзисторах по планарно-эпитаксиальной технологии с применением двухуровневой металлизации. [20]

Биполярные и МОП ИМС изготовляют по планарно-эпитаксиальной технологии путем многократного повторения процессов формирования фото ( электронно) резис-тивных масок, травления, легирования и оксидирования, нанесения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев. Существует множество комбинаций этих операций. [21]

Данный комплекс ИС изготовлен на кристаллах кремния по планарно-эпитаксиальной технологии. Микросхемы, заключенные в плоский металлокерамический корпус, обладают значительной устойчивостью к климатическим и механическим воздействиям. Они сохраняют свою работоспособность при изменении температуры окружающей среды от - 60 до 125 С, а также при воздействии на них постоянных линейных ускорений до 150 м / с2, одиночных ударов с ускорением до 30000 м / с2, многократных ударов с ускорением до 1500 м / с2, вибрационных нагрузок в диапазоне частот 5 - 500 Гц с ускорением до 400 м / с2, относительной влажности 95 - 98 % при температуре 40 С. [22]

Интегральные схемы этого типа изготовляются на пластинах кремния по планарно-эпитаксиальной технологии. [23]

Для уменьшения сопротивления тела полупроводника ( п-области) применяют планарно-эпитаксиальную технологию ( рис. 14, з), в которой используют пластину 13 сильно легированного кремния п - типа с выращенной на ней тонкой ( несколько мкм) эпитаксиальной ( продолжающей кристаллическую решетку пластины) пленкой 14 слабо легированного кремния / т-типа. [24]

Конструкция точечного р - л-перехода. [25]

Плоскостные и точечные р-я-переходы создают по сплавной, диффузионной или планарно-эпитаксиальной технологии. В зависимости от применяемой технологии получают сплавные, диффузионные, планарно-эпитаксиальные диоды и их разновидности. [26]

Совмещенные ИС содержат кристалл кремния, в котором с помощью планарно-эпитаксиальной технологии сформированы активные элементы ( диоды и транзисторы), а также те резисторы, к точности сопротивления которых не предъявляется высоких требований. Пассивные же элементы - резисторы, конденсаторы, а также соединения между элементами - выполняются по тонкопленочной технологии на поверхности окисленного кристалла. При этом надежность и компактность активных элементов, характерные для полупроводниковых схем, сочетаются с большим диапазоном возможных номиналов и точностью пассивных элементов, характерных для пленочных схем. [27]

Структура многоэмиттерного транзистора.| Эквивалентная схема ммогоэмиттерного транзистора. [28]

Указанные противоречия в определенной степени были разрешены путем создания по планарно-эпитаксиальной технологии многоэмиттерной структуры биполярного транзистора. В результате суммарный периметр всех эмиттеров резко возрастает без увеличения их площади, что и позволяет при высоком значении граничной частоты существенно увеличить мощность прибора. [29]

Конструкция точечного р-п перехода.| Конструкция планарно-эпитаксиального диода. [30]

Страницы: 1 2 3 4