Планарно-эпитаксиальная технология
Cтраница 3
Плоскостные и точечные р-п переходы создаются по сплавной, диффузионной или планарно-эпитаксиальной технологии. В зависимости от технологии все диоды разделяются на сплавные, диффузионные, планарно-эпитаксиальные и их разновидности. [31]
В качестве ПРР в основном применяют быстродействующие цифровые мультиплексоры на основе планарно-эпитаксиальной технологии с диодами Шотки. Такой мультиплексор имеет три информационных входа с небольшой входной емкостью, один информационный выход сигналов с ТТЛ-уровнями и управляющие входы, к которым предъявляются менее жесткие требования в части входной емкости, сопротивления и токов утечки. [32]
Полупроводниковые интегральные схемы в большинстве случаев изготовляют на основе кремния по планарно-эпитаксиальной технологии, при которой обеспечивается одновременное групповое создание большого количества микросхем на одной пластине. Методика создания полупроводниковых структур здесь не отличается от применяемой при производстве автономных полупроводниковых приборов. Однако в интегральной схеме нужно обеспечить электрическую изоляцию активных и пассивных элементов, созданных в одном кристалле. В то же время они должны иметь соединения между собой в соответствии с требуемой принципиальной схемой. [33]
В качестве ПРР в основном применяют быстродействующие цифровые мультиплексоры на основе планарно-эпитаксиальной технологии с диодами Шотки. Такой мультиплексор имеет три информационных входа с небольшой входной емкостью, один информационный выход сигналов с ТТЛ-уровнями и управляющие входы, к которым предъявляются менее жесткие требования в части входной емкости, сопротивления и токов утечки. Представляет интерес использование в ПРР маломощных микросхем типа КР590КН7, которые обеспечивают емкость входов 1 - 3 не более 20 пФ, выхода - 50 пФ и время включения в другое положение не более 90 не. [34]
 |
Основная логическая схема ТТЛ с диодами Шотки.| Основная логическая схема ЭСЛ.| Структура ( а и основная схемы ( б логической микросхемы с инжекционным питанием ( И2Л. [35] |
Яср 45ч - 180 иВт; ИМС серии 137 изготовляют по планарно-эпитаксиальной технологии. [36]
 |
Структуры тиристоров. [37] |
На рис. 5.5 представлены структуры тиристоров, изготовленных утетодом диффузии и методом планарно-эпитаксиальной технологии. В этом случае получается тонкая база, малое время жизни неосновных носителей, высокое напряжение переключения и низкое сопротивление открытого прибора. [38]
Приведен обзор методов создания туннельных и обращенных диодов и, в частности, планарно-эпитаксиальная технология их изготовления. [39]
 |
Операционный усили - [ IMAGE ] Операционный уси-тель КР140УД20 лиге ль К157УД2. [40] |
Микросхема К1423УД2 ( рис. 5.31 6) содержит два ОУ, выполненных по планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией р-п переходом. В и по своим характеристикам соответствует универсальным усилителям. [41]
Микросхемы серии К170 представляют собой схемы интерфейса, выполненные на основе ТТЛ по биполярной планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией р-п переходом, предназначены для работы в устройствах управления цепями записи и считывания информации в адресных и разрядных шинах и преобразования сигналов, считываемых с блоков памяти запоминающих устройств ЦВМ и устройств дискретной автоматики, для передачи информации по линиям связи. [42]
Варикапы со структурой р - п-я - типа ( см. рис. 3.1, з) изготавливаются методом планарно-эпитаксиальной технологии. [43]
Полупроводниковые биполярные ИС изготовляют на кремниевых монокристаллических пластинах ( диаметром до 100 - 125 мм) методами планарно-эпитаксиальной технологии с применением фотолитографии, локального ионного и диффузионного легирования, различных методов выращивания и осаждения диэлектрических и проводящих слоев. Все элементы полупроводниковой ИС получают одновременно в ходе единого технологического цикла. [45]
Страницы: 1 2 3 4