Cтраница 4
Рассмотрим методику проектирования ИЭТ на примере ИС ( СИС, БИС) на биполярных структурах, изготовляемых по планарно-эпитаксиальной технологии. Эта методика в значительной степени применима к большинству ИЭТ и частично РЭА. [46]
Разновидностью этих технологий является так называемая совмещенная технология, согласно которой активные элементы интегральных микросхем изготовляют по пленарной или планарно-эпитаксиальной технологии в объеме полупроводникового материала, а пассивные - методами тонкопленочной технологии на поверхности кристалла. [47]
Предназначены в основном для применения в стереофонических катушечных и кассетных магнитофонах II и I классов со сквозным или универсальным каналом записи-воспроизведения, выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии с разделением элементов р - - переходом. Корпус прямоугольный пластмассовый, выводы расположены в два ряда. [48]
Полупроводниковые ИС - это основная часть выпускаемых промышленностью ИС, которые изготавливаются на полупроводниковой подложке ( как правило, на кремниевой) с использованием планарно-эпитаксиальной технологии. [49]
В качестве базового элемента в полупроводниковых микросхемах используют биполярные транзисторы в основном со структурой / г-р - п - типа проводимости, изготовляемые по планарной или планарно-эпитаксиальной технологии, и униполярные транзисторы с МД П - структурой одного или двух типов проводимости канала, изготовляемые по планаряой технологии. [50]
По основным процессам производства ИС различают технологию: пленарную, планарно-эпитаксиальную. Планарно-эпитаксиальная технология дает возможность получить ИС, обладающие хорошими электрическими характеристиками. [51]
Дальнейшие этапы формирования на островках планарных, транзисторов принципиально ничем не отличаются от подобных этапов планарно-диффузионной технологии. При планарно-эпитаксиальной технологии примесь распределена равномерно по толщине и р-я-переходы достаточно четкие. [52]
Изготовлены по планарно-эпитаксиальной технологии на основе кристалла кремния со скрытым слоем в коллекторе. [53]
Микросхема представляет собой ЧМ тракт радиоприемного устройства для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией УКВ диапазона, а также усиления сигналов низкой частоты. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии. [54]
Применяется главным образом в качестве основы усилительных каскадов на низких частотах. Изготовлена по планарно-эпитаксиальной технологии. Выполнена в прямоугольном металлостеклянном корпусе с 14 выводами. [55]
Микросхемы серии К174 предназначены для применения в звуковоспроизводящей, звукозаписывающей, радиоприемной и телевизионной бытовой радиоаппаратуре. Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии с разделением элементов р-п переходом. Конструктивно микросхемы оформлены в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. [56]
Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах с изоляцией элементов диэлектриком. [57]
Микросхемы серии К1109 - комплект семи-и восьмиканальных ключей для управления приборами отображения информации. Выполнены по планарно-эпитаксиальной технологии на биполярных транзисторах. [58]