Cтраница 1
Третий элемент обозначения транзистора. [1] |
Корпус полупроводникового прибора предназначен для изоляции кристалла с переходами от воздействий внешней среды, обеспечения механической прочности прибора и отвода тепла, выделяющегося на переходах при работе прибора. Кроме того, корпус создает удобства при монтаже прибора в электронную аппаратуру. [2]
Корпус полупроводникового прибора представляет собой герметичную оболочку с электрически изолированными выводами, которая защищает помещенный внутри нее кристалл полупроводника с электронно-дырочным переходом ( или переходами) от механических, климатических и других воздействий. [3]
Холодная сварка. а - двухсторонняя, б - односторонняя. [4] |
Корпус полупроводникового прибора должен иметь достаточную механическую прочность и герметичность, не подвергаться коррозии и обладать спосабностью хорошо отводить тепло от р-п перехода, выдерживать допустимые электрические нагрузки и обеспечивать надежное крепление прибора в аппаратуре. Конструкция прибора должна быть надежной, простой и дешевой при изготовлении, удобной при сборке. [5]
Корпуса полупроводниковых приборов служат целям герметичной защиты структур от внешних воздействий, обеспечения хороших условий теплоотвода для мощных приборов и надежного соединения СВЧ приборов со схемой. [6]
Корпуса полупроводниковых приборов классифицируют по свойствам помещаемых в корпус электронно-дырочных переходов, по способу герметизации приборов и конструкции металлостеклянного спая. [7]
Заряды, возникающие в окисной пленке на кремнии. [8] |
Снаружи корпус полупроводникового прибора окрашивается защитной краской. В некоторых случаях вместо окрашивания применяется никелирование. [9]
Детали корпусов полупроводниковых приборов изготовляют в основном по 4-му классу точности, а места соединения деталей и узлов - по 3-му и За классам точности системы отверстия. Точность изготовления деталей корпусов по 3-му и 4-му классам является довольно высокой, если принять во внимание, что большую часть деталей корпусов изготовляют методом холодной штамповки. Детали корпусов полупроводниковых приборов изготовляют с допусками системы отверстия, допуски по системе вала применяют очень редко. [10]
Узлы корпусов полупроводниковых приборов, имеющих металлостеклянный спай и паяные соединения, осматривают под микроскопом при 16-кратном увеличении. [11]
Элементы корпусов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем ( фланцы, баллоны, держатели, выводы, термокомпенсаторы, переходные кольца, втулки, колпачки, металлические жгуты) изготовляют из различных металлов и их сплавов, которые должны обладать механической прочностью, высокой чистотой и не выделять загрязняющих примесей внутри баллона корпуса; обладать высокой электро - и теплопроводностью, а также обеспечивать надежное электрическое соединение электродных выводов; хорошо обрабатываться механическими способами для обеспечения необходимых геометрических форм; быть коррозионно стойкими. [12]
Если температура корпусов полупроводниковых приборов близка к критической, необходимо применять принудительное охлаждение. Полупроводниковые приборы большой и средней мощности должны иметь радиаторы. [13]
Если температура корпуса полупроводниковых приборов окажется близкой к критической, необходимо произвести перекомпоновку микромодулей и, если нужно, ввести принудительное охлаждение. Температура каждого полупроводникового прибора должна определяться расчетно-измерительным методом на этапе проектирования аппаратуры. При заливке плат с полупроводниковыми приборами компаундами, пенопластами и пенорезиной, как и в случае микромодулей, нужно тщательно следить за тепловыми режимами полупроводниковых приборов. Необходимо учитывать при этом изменение теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева полупроводникового прибора от расположенных вблизи других радиодеталей, например сопротивлений, в условиях повышенной теплопроводности среды. [14]
В производстве корпусов полупроводниковых приборов никель применяют для изготовления выводов, баллонов и других деталей. [15]