Корпус - полупроводниковый прибор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Почему-то в каждой несчастной семье один всегда извращенец, а другой - дура. Законы Мерфи (еще...)

Корпус - полупроводниковый прибор

Cтраница 1


1 Третий элемент обозначения транзистора. [1]

Корпус полупроводникового прибора предназначен для изоляции кристалла с переходами от воздействий внешней среды, обеспечения механической прочности прибора и отвода тепла, выделяющегося на переходах при работе прибора. Кроме того, корпус создает удобства при монтаже прибора в электронную аппаратуру.  [2]

Корпус полупроводникового прибора представляет собой герметичную оболочку с электрически изолированными выводами, которая защищает помещенный внутри нее кристалл полупроводника с электронно-дырочным переходом ( или переходами) от механических, климатических и других воздействий.  [3]

4 Холодная сварка. а - двухсторонняя, б - односторонняя. [4]

Корпус полупроводникового прибора должен иметь достаточную механическую прочность и герметичность, не подвергаться коррозии и обладать спосабностью хорошо отводить тепло от р-п перехода, выдерживать допустимые электрические нагрузки и обеспечивать надежное крепление прибора в аппаратуре. Конструкция прибора должна быть надежной, простой и дешевой при изготовлении, удобной при сборке.  [5]

Корпуса полупроводниковых приборов служат целям герметичной защиты структур от внешних воздействий, обеспечения хороших условий теплоотвода для мощных приборов и надежного соединения СВЧ приборов со схемой.  [6]

Корпуса полупроводниковых приборов классифицируют по свойствам помещаемых в корпус электронно-дырочных переходов, по способу герметизации приборов и конструкции металлостеклянного спая.  [7]

8 Заряды, возникающие в окисной пленке на кремнии. [8]

Снаружи корпус полупроводникового прибора окрашивается защитной краской. В некоторых случаях вместо окрашивания применяется никелирование.  [9]

Детали корпусов полупроводниковых приборов изготовляют в основном по 4-му классу точности, а места соединения деталей и узлов - по 3-му и За классам точности системы отверстия. Точность изготовления деталей корпусов по 3-му и 4-му классам является довольно высокой, если принять во внимание, что большую часть деталей корпусов изготовляют методом холодной штамповки. Детали корпусов полупроводниковых приборов изготовляют с допусками системы отверстия, допуски по системе вала применяют очень редко.  [10]

Узлы корпусов полупроводниковых приборов, имеющих металлостеклянный спай и паяные соединения, осматривают под микроскопом при 16-кратном увеличении.  [11]

Элементы корпусов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем ( фланцы, баллоны, держатели, выводы, термокомпенсаторы, переходные кольца, втулки, колпачки, металлические жгуты) изготовляют из различных металлов и их сплавов, которые должны обладать механической прочностью, высокой чистотой и не выделять загрязняющих примесей внутри баллона корпуса; обладать высокой электро - и теплопроводностью, а также обеспечивать надежное электрическое соединение электродных выводов; хорошо обрабатываться механическими способами для обеспечения необходимых геометрических форм; быть коррозионно стойкими.  [12]

Если температура корпусов полупроводниковых приборов близка к критической, необходимо применять принудительное охлаждение. Полупроводниковые приборы большой и средней мощности должны иметь радиаторы.  [13]

Если температура корпуса полупроводниковых приборов окажется близкой к критической, необходимо произвести перекомпоновку микромодулей и, если нужно, ввести принудительное охлаждение. Температура каждого полупроводникового прибора должна определяться расчетно-измерительным методом на этапе проектирования аппаратуры. При заливке плат с полупроводниковыми приборами компаундами, пенопластами и пенорезиной, как и в случае микромодулей, нужно тщательно следить за тепловыми режимами полупроводниковых приборов. Необходимо учитывать при этом изменение теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева полупроводникового прибора от расположенных вблизи других радиодеталей, например сопротивлений, в условиях повышенной теплопроводности среды.  [14]

В производстве корпусов полупроводниковых приборов никель применяют для изготовления выводов, баллонов и других деталей.  [15]



Страницы:      1    2    3    4