Корпус - полупроводниковый прибор
Cтраница 3
Как указывалось выше, корпуса полупроводниковых приборов должны обладать высокой степенью герметичности. Однако контроль герметичности их представляет сложную проблему. В случае электронной лампы нарушение герметичности приводит к немедленному выходу ее из строя. Незначительное нарушение герметичности полупроводникового прибора приводит к медленному изменению характеристик, иногда даже к их улучшению и лишь с течением времени к окончательному выходу прибора из строя. Поэтому важно уметь определять герметичность корпусов приборов в процессе производства, чтобы отбраковывать ненадежные в работе приборы. [31]
Для изготовления металлических деталей корпусов полупроводниковых приборов применяют ковар, медь, сталь и никель в виде полос, лент, прутков, проволоки и трубок. Принятые входным контролем ОТК материалы поступают в механо-штамповочный цех. В соответствии с технологическим процессом, зафиксированным в технологических картах, материалы раскраивают, обезжиривают, отжигают, правят. [32]
Бусы для металлостеклянных спаев корпусов полупроводниковых приборов изготовляют резкой стеклянных трубок ( капилляров) на заготовки определенной длины. Стеклянные трубки разрезают различными способами. [33]
 |
Модель проводника. [34] |
При термоэлектрическом охлаждении температура корпуса полупроводниковых приборов и теплоотвода становится ниже температуры окружающей среды. Поэтому при повышенных температурах окружающей среды и высоких мощностях рассеивания полупроводниковых приборов для снижения температуры корпуса ниже температуры окружающей среды с целью повышения надежности одним из эффективных методов является термоэлектрическое охлаждение. [35]
Влажностный метод контроля герметичности корпусов полупроводниковых приборов является наиболее распространенным, так как он прост, надежен и одновременно позволяет контролировать, кроме герметичности, еще и стойкость покрытий корпусов полупроводниковых приборов на воздействие повышенной влажности. Этот метод является заключительным в серии всех видов контроля и испытаний приборов и служит одновременно одним из видов климатических испытаний. [36]
Рассмотрим технологический процесс окраски корпусов полупроводниковых приборов черной эмалью ПФ-28, который состоит из операций: обезжиривания и сушки; грунтования и сушки; первой окраски и сушки и второй окраски и сушки. [37]
В ряде случаев при сварке корпусов полупроводниковых приборов ( сильфонов с арматурой и др.) приходится сталкиваться с разлотолщинностью деталей. Роликовая контактная электросварка деталей с большой разницей по толщине связана со значительными трудностями. Затруднения при сварке вызываются в первую очередь следующими моментами: резкой неравномерностью распределения поля тока в контактах электрод - деталь и деталь - - деталь, резкой неравномерностью теп-лоотвода от зоны максимальных температур в электрод и толстую деталь; снижением средней плотности тока в контакте деталь - деталь в результате вдавливания электрода и тонкой детали в толстую в процессе нагрева. [38]
МТК-5-3: предназначена для сварки корпусов полупроводниковых приборов или других изделий электроники и приборов. Электродная часть машины помещается в герметичном скафандре; сварка выполняется в защитной контролируемой среде. Машина комплектуется отдельным шкафом управления. [39]
Естественно, что история развития корпусов полупроводниковых приборов неразрывно связана с историей развития самих приборов. Говоря о полупроводниковом приборе, всегда имеют в виду электронно-дырочный переход ( или переходы), смонтированный в корпусе. [40]
Гальванические покрытия деталей и узлов корпусов полупроводниковых приборов выполняют для получения высокой чистоты деталей и узлов, защиты их от коррозии и возможности травления электронно-дырочных переходов на ножке ( держателе), а также для создания хрупкой защитной пленки на свариваемых поверхностях при герметизации методом холодной сварки и улучшения внешнего вида корпусов. [41]
Для уменьшения теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и радиатором достаточно зачистить место установки полупроводникового прибора наждачной бумагой. Такой радиатор необходимо располагать вертикально ( рис. 11 - 13, е), так как при этом почти вдвое увеличивается его эффективность. Если коллектор мощного транзистора должен быть соединен с металлической монта жной платой, ее можно использовать в качестве радиатора. [42]
При изготовлении металлостеклянных спаев в корпусах полупроводниковых приборов применяют три основных метода изготовления спая стекла с металлом: получение спая в конвейерных печах, метод штамповки и метод получения спая высокочастотным нагревом. [43]
Кроме контроля геометрических размеров, узлы корпусов полупроводниковых приборов на различных стадиях изготовления подвергают также Контролю на качественное выполнение отдельных операций технологического процесса. [44]
Устранение локальных воздушных полостей между основанием корпуса полупроводникового прибора и изоляционной прокладкой достигается также применением пасты КПТ-8. [45]
Страницы: 1 2 3 4