Корпус - полупроводниковый прибор
Cтраница 2
При пайке корпусов полупроводниковых приборов в качестве флюса применяют канифоль, которая не оказывает на металлы коррозионного действия и электрически не проводима. Канифоль обычно растворяют в спирте. Канифоль применяют для пайки предварительно облу-женных деталей, так как при сильном нагреве она разлагается. [16]
Для изготовления корпусов полупроводниковых приборов используют низкоуглеродистую сталь в виде лент толщиной от 0 05 до 2 5 мм и шириной до 400 мм. На поверхности стальной ленты И класса допускаются мелкие царапины, риски, вмятины, бугорки размером менее половины допустимого отклонения по толщине ленты. Расслоения, окалина и ржавчина на стальной ленте не допускаются. На поверхности стальной ленты I класса указанные дефекты допускаются в меньшем количестве. Ленту III класса для изготовления корпусов полупроводниковых приборов не применяют. [17]
В производстве корпусов полупроводниковых приборов термическое оборудование применяют для отжига металлов, пайки, получения металлостеклянных и метал-локерамических спаев, а также для предварительного и окончательного обжига керамики и вжигания в нее металлизационного слоя. [18]
 |
Транзистор ГТ322 ( а и сварочный инструмент для его герметизации ( б. [19] |
Для герметизации корпусов полупроводниковых приборов холодной сваркой широко используют полуавтомат ИО 20.007 ( рис. 121, а), который состоит из скафандра, стола, карусели с механизмом привода, гидросистемы и электрического блока. [20]
Холодная сварка корпусов полупроводниковых приборов производится ТОЛЬКО В ОДНОЙ ПОЗИЦИИ. [21]
 |
Приспособление для окраски приборов окунанием. [22] |
Для окраски корпусов полупроводниковых приборов окунанием применяют специальное приспособление ( рис. 141), напоминающее малогабаритный сверлильный настольный станок. Затем кассету с приборами окунают в краску, приподнимая сосуд 4 с краской, а ножной педалью 5 включают вращение шпинделя. При вращении кассеты лишняя краска сбрасывается с приборов. Через определенное время кассету перестают вращать, сосуд 4 с краской оопускают на стол, а кассету с окрашенными приборами снимают со шпинделя и передают на сушку. [23]
 |
Схема приемника прямого усиления. [24] |
Если температура корпуса полупроводниковых приборов окажется близкой к критической, необходимо произвести перекомпоновку микромодулей и, если нужно, ввести принудительное охлаждение. Температура каждого полупроводникового прибора должна определяться расчетно-измерительным методом на этапе проектирования аппаратуры. При заливке плат с полупроводниковыми приборами компаундами, пенопластами и пенорезиной, как и в случае микромодулей, нужно тщательно следить за тепловыми режимами полупроводниковых приборов. Необходимо учитывать при этом изменение теплового сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и окружающей средой, а также возможность увеличения дополнительного нагрева полупроводникового прибора, от расположенных вблизи других радиодеталей, например сопротивлений, в условиях повышенной теплопроводности среды. [25]
Для изготовления деталей корпусов полупроводниковых приборов применяют низкоуглеродистую сталь в виде лент толщиной от 0 05 до 1 5 мм и шириной до 300 мм. [26]
Для повышения надежности корпуса полупроводниковых приборов проходят приемо-сдаточные и периодические испытания. Приемо-сдаточные испытания проводят на каждой партии установленного размера. [27]
 |
Крепление транзисторов с помощью держателя.| Крепление транзисторов с помощью стойки. [28] |
Вследствие того, что корпус полупроводникового прибора соединен с одним из электродов ( например, корпус транзистора соединен с коллектором), то в большинстве случаев корпус не должен иметь электрический контакт с шасси. [29]
В эксплуатационных условиях на корпуса полупроводниковых приборов воздействуют те же механические и климатические факторы, что и на полупроводниковые приборы, но корпуса непосредственно воспринимают воздействия Внешней среды и механические нагрузки. Поэтому требования, предъявляемые к полупроводниковым приборам, справедливы и для их корпусов, за исключением требований, непосредственно относящихся к р-п-переходам. [30]
Страницы: 1 2 3 4