Базовый кристалл
Cтраница 1
Базовый кристалл - часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных элементов, в том числе электрически соединенных и не соединенных между собой, предназначенный для дальнейшего проектирования микросхемы. [1]
Базовый кристалл микросхемы - кристалл интегральной микросхемы с определенным набором сформированных в нем не соединенных между собой двоичных логических элементов и ( или) узлов из них, используемый для создания интегральных микросхем путем изготовления избирательных межэлементных соединений. [2]
Хотя конструкция базового кристалла допускает достаточное число степеней свободы при проектировании топологии БИС, общее количество различных сочетаний микроэлементов и условий их размещения оказывается настолько большим, что практически удовлетворить их не представляется возможным. [3]
 |
Зависимость между повторяемостью БИС в вычислительной системе от функциональной сложности БИС, N-сложность системы в вентилях. [4] |
Конкретная настройка базового кристалла осуществляется изготовлением на заключительных стадиях производства уникальных для каждого типа БИС межсоединений между элементами матрицы. При этом регулярность топологии базового кристалла позволяет наиболее полно автоматизировать все этапы разработки и изготовления заказных БИС в короткие сроки при экономически оправданной цене даже для малой тиражности БИС. [5]
 |
Зависимость между повторяемостью БИС в вычислительной системе от функциональной сложности БИС, N-сложность системы в вентилях. [6] |
Вопросам разработки базовых кристаллов и изготовления на их основе заказных БИС в настоящее время уделяется большое внимание. [7]
По мере насыщения базового кристалла неосновными носителями сопротивление диода уменьшается и соответственно уменьшается напряжение на нем. Если в схеме рис. 3.3, а входное напряжение скачком изменяет полярность и меняется от - - Е до - Е, то диод запирается не мгновенно. Под действием этого тока в течение короткого времени рассасывания tf избыточный заряд неосновных носителей в базовом кристалле рассасывается. Сопротивление диода начинает возрастать и ток через диод - падать. После установления значения обратного сопротивления ( через время уо) обратный ток диода принимает статическое значение Is. У современных быстродействующих диодов значения / уп и уо не превышают сотни ( и даже десятков) наносекунд и влияние указанных параметров сказывается только при малых значениях паразитных емкостей. При значительной емкости нагрузки образуемая ею цепь имеет постоянную времени, существенно превышающую значения уя и tyo, и последними часто пренебрегают. [8]
ЭСЛ БИС на основе базового кристалла, предназначенные для электронных АТС. [9]
Основное отличие термина кристалл от термина базовый кристалл заключается в отсутствии в последнем законченных межэлементных соединений, которые будут выполнены при дальнейшем проектировании. [10]
Основное отличие термина кристалл от термина базовый кристалл заключается в отсутствии в последнем законченных межэлементных соединений, которые будут выполнены при дальнейшем проектировании. [11]
Следует отметить, что увеличение степени интеграции базовых кристаллов ограничивается, с одной стороны, невозможностью создания кристаллов любой площади с приемлемым процентом выхода годных, с другой стороны, трудностями отвода рассеиваемого кристаллом тепла и созданием большого числа внешних выводов БИС. [12]
Объясняется это наличием у реального диода конечной толщины базового кристалла, на котором выполнен р-га-переход. [13]
Таким образом, в обоих случаях матричные ИС представляют собой базовые кристаллы с незаконченным рисунком межсоединений, который выполняется для специализации СБИС нанесением последнего слоя металлизации с помощью одного шаблона или выплавлением лишних межсоединений во внутренних слоях ( например, в структурах кремний на сапфире - КНС) и последнем слое с помощью программаторов ППЗУ. Некоторые полузаказные СБИС не требуют многократного повторения стандартных ячеек, это позволяет применять только необходимые из них и поэтому площадь кристалла используется более эффективно. [14]
Эвтектическая кристаллизация начинается с развития аустенитного дендрита на гранях базового кристалла карбида. Такой дендрит в косом сечении представлен на рис. 5, г. В промежутках между ветвями аустенитного дендрита прорастают ответвления базового кристалла карбида ( рис. 5, д), преимущественно развивающиеся от ребер базового кристалла. [15]
Страницы: 1 2 3 4