Cтраница 4
По мере насыщения базового кристалла неосновными носителями сопротивление диода уменьшается и соответственно уменьшается напряжение на нем. Если в схеме рис. 3.3, а входное напряжение скачком изменяет полярность и меняется от - - Е до - Е, то диод запирается не мгновенно. Под действием этого тока в течение короткого времени рассасывания tf избыточный заряд неосновных носителей в базовом кристалле рассасывается. Сопротивление диода начинает возрастать и ток через диод - падать. После установления значения обратного сопротивления ( через время уо) обратный ток диода принимает статическое значение Is. У современных быстродействующих диодов значения / уп и уо не превышают сотни ( и даже десятков) наносекунд и влияние указанных параметров сказывается только при малых значениях паразитных емкостей. При значительной емкости нагрузки образуемая ею цепь имеет постоянную времени, существенно превышающую значения уя и tyo, и последними часто пренебрегают. [46]
Как отмечалось в § 5.3, к наиболее эффективным относятся двухэтапные методы трассировки, когда сначала проводят распределение магистралей по каналам, в которые попадают ряд линий сетки, а затем выполняют окончательную разводку магистралей по линиям сетки внутри каждого канала. Первый этап называется распределением по каналам, а второй - распределением по линиям сетки. Важной особенностью данных методов является то, что на первом этапе распределение по каналам можно выполнить с одновременным расчетом взаимных помех трасс в масштабе всего базового кристалла, что позволяет учесть зависимость от порядка прокладки трасс. Кроме того, область поиска положения трасс значительно сокращается, поскольку распределение по линиям сетки выполняется на основе уже выполненного распределения по каналам. Вследствие возможности учета взаимных помех проводников на всех участках базового кристалла в качестве критерия эффективности трассировки целесообразно использовать не минимальную длину всех соединений, а плотность размещения проводников. [47]
Многоэмиттерный транзистор ( МЭТ) был создан для микроминиатюрных логических устройств. Число эмиттеров, размещенных на базе, в отличие от биполярного транзистора может достигать четырех. Толщина базового кристалла между коллектором и каждым из эмиттеров невелика, что обусловливает возможность диффузии в базе на каждом из участков между коллектором и эмиттером. [48]
По технологическому признаку различают гибридные и полупроводниковые ( монолитные) БИС. Для построения гибридных БИС применяют многослойную толсто - или тонкопленочную разводку, позволяющую осуществить коммутацию бескорпусных интегральных микросхем и пленочных, пассивных элементов. При изготовлении: полупроводниковых БИС применяют базовые кристаллы в виде матриц биполярных или полевых ( МДП) транзисторов. [49]
Модели, полученные на основе аппроксимации статической в.а.х. диода, не учитывают ряда особенностей, вытекающих из физических принципов его работы, в частности установления конечных значений прямого и обратного сопротивлений прибора. Если в схеме рис. 3.4, a диод был выключен, то после подачи отпирающего напряжения статическое значение напряжения ( 7пр установится лишь в том случае, когда в базовом кристалле диода концентрация неосновных носителей примет равновесное значение, соответствующее заданному уровню прямого тока i E / R. Если тд - время жизни неосновных носителей заряда при их диффузии, то в течение времени установления прямого сопротивления / Уп Зтд асимптотически изменяется значение прямого сопротивления диода. В момент появления скачка отпирающего напряжения, когда базовый кристалл еще не насыщен избыточными неосновными носителями, прошедшими через p - n - переход, сопротивление кристалла велико и напряжение на диоде превышает установившийся уровень С / пр. По мере насыщения базового кристалла неосновными носителями заряда сопротивление диода уменьшается и соответственно уменьшается напряжение ыак. [50]
Полупроводниковые БИС содержат на одном кристалле сложные функциональные узлы. Разработка их номенклатуры осуществляется в двух направлениях. Первое направление связано с созданием БИС, рассчитанных на широкое применение, но с некоторой избыточностью при выполнении конкретных задач. Результатом этого направления явилось создание БИС микропроцессоров, запоминающих устройств и др. Второе направление основано на использовании нескоммутированных матриц логических ячеек, называемых базовым кристаллом. [51]
Многоэмиттерный транзистор ( МЭТ) был создан для микроминиатюрных логических устройств. Данный транзистор, подобно обычному биполярному, имеет базу и один коллектор. Число эмиттеров, размещенных на базе, в отличие от биполярного транзистора может достигать четырех - восьми. Толщина базового кристалла между коллектором и каждым из эмиттеров невелика, что обусловливает возможность диффузии в базе на каждом из участков между коллектором и эмиттером. Напротив, взаимодействие между эмиттерами через участки базы практически отсутствует. [52]
Модели, полученные на основе аппроксимации статической в.а.х. диода, не учитывают ряда особенностей, вытекающих из физических принципов его работы, в частности установления конечных значений прямого и обратного сопротивлений прибора. Если в схеме рис. 3.4, a диод был выключен, то после подачи отпирающего напряжения статическое значение напряжения ( 7пр установится лишь в том случае, когда в базовом кристалле диода концентрация неосновных носителей примет равновесное значение, соответствующее заданному уровню прямого тока i E / R. Если тд - время жизни неосновных носителей заряда при их диффузии, то в течение времени установления прямого сопротивления / Уп Зтд асимптотически изменяется значение прямого сопротивления диода. В момент появления скачка отпирающего напряжения, когда базовый кристалл еще не насыщен избыточными неосновными носителями, прошедшими через p - n - переход, сопротивление кристалла велико и напряжение на диоде превышает установившийся уровень С / пр. По мере насыщения базового кристалла неосновными носителями заряда сопротивление диода уменьшается и соответственно уменьшается напряжение ыак. [53]