Базовый кристалл
Cтраница 3
Они выполняются на основе тонкопленочной коммутационной платы с использованием навесных активных и пассивных элементов. При проектировании БИРС ориентируются на существующие базовые кристаллы интегральных микросхем. [31]
В известном смысле принцип программирования аппаратными средствами применяется в так называемых матрицах логических элементов ( или вентильных матрицах) при условии, что программирование их осуществляется на более ранней стадии изготовления и что в итоге получаются более разнообразные по сравнению с ПЗУ и ПЛМ заказные схемы. Матрицы логических элементов, обычно именуемые базовыми кристаллами, представляют собой такие полупроводниковые кристаллы, чьи переключательные элементы содержат небольшое число основных типов элементарных логических схем, в совокупности образующих ИС с регулярной логической структурой. Такие ячейки могут иметь вид отдельных транзисторов или транзисторных групп. Путем избирательного формирования металлических соединений кристаллы с матрицами логических элементов можно превращать в различные заказные ИС, изготовленные с учетом требований разных пользователей. В большинстве случаев для этого применяют две операции металлизации: сначала выполняются соединения внутри ячеек, а затем-между ячейками. При такой технологии объем работ по выполнению межсоединений ИС, согласно спецификации пользователя, сокращается до двух операций металлизации. Для обеспечения подобной возможности необходимо лишь разработать топологию, учитывающую новую специфику. В итоге затраты на разработку компоновочных топологических схем оказываются относительно небольшими. ИС, изготовленные на базе матриц логических элементов, с одной стороны, обладают заказной спецификой и остаются, с другой стороны, стандартными ИС, поскольку для их изготовления применяются практически стандартные методы. Благодаря матрицам логических элементов еще больше стирается граница между заказными и стандартными ИС, которая и раньше не была особенно резкой. [32]
Каждая схема этой группы включает в себя базовый кристалл полупроводникового материала с резисторами, диодами и транзисторами, соединенными между собой различными видами металлизации. [33]
В Качестве фотоизлучателей в большинстве оптоэлектронных устройств применяют инжекционные светодиоды и лазеры. Их производят в виде матриц на одном базовом кристалле по той же технологии, что и интегральные микросхемы. [34]
 |
Схема элемента непороговой логики.| Схема элемента эмит-терно-функциональной логики. [35] |
Однако низкая помехоустойчивость элементов НПЛ-типа ограничивает их применение лишь во внутренней структуре кристалла БИС. Для согласования по уровням с внешними линиями связи базовые кристаллы обычно содержат буферные схемы ввода и вывода информации. [36]
Эвтектическая кристаллизация начинается с развития аустенитного дендрита на гранях базового кристалла карбида. Такой дендрит в косом сечении представлен на рис. 5, г. В промежутках между ветвями аустенитного дендрита прорастают ответвления базового кристалла карбида ( рис. 5, д), преимущественно развивающиеся от ребер базового кристалла. [37]
Второе направление связано с так называемыми заказными БИС, в которых специализация осуществляется аппаратным способом. Существенное снижение затрат на разработку и изготовление заказных БИС может быть достигнуто использованием кристаллов со стандартной матрицей элементов, называемых базовыми кристаллами. [38]
На этом этапе рисунок межсоединений может тоже видоизменяться до тех пор, пока не будет удовлетворять заданным требованиям и ограничениям. Затем ЭВМ по команде конструктора разрабатывает необходимую конструкторскую документацию ( топологические чертежи), а также определяет данные, необходимые для изготовления базового кристалла. К ним относятся тип и характер распределения примесей, характеристики эпитаксиальных и диффузионных слоев структуры и др. Изображение рисунка, генерируемого ЭВМ, выводится на устройства для изготовления фотооригинала, на основе которого затем изготавливаются фотошаблоны. [39]
Результаты морфологических исследований ряда эвтектик в белых чугунах подтверждают выводы А. А. Бочвара [6] о том, что процесс эвтектической кристаллизации представляет совместный рост кристаллов двух фаз, в ходе которого одна из фаз ведет кристаллизацию и создает скелет эвтектического зерна, а другая фаза отлагается в межосевых пространствах этого скелета. Однако характерным для эвтектической кристаллизации чугунов является не подчеркиваемое в работе [6] раздельное образование двух кристаллов в жидкости, а зарождение кристалла ведомой фазы на базовом кристалле ведущей фазы и их последующий кооперативный рост. С другой стороны, необходимо уточнить положение о том, что ведущая фаза создает скелет эвтектического зерна. [40]
Модели, полученные на основе аппроксимации статической в.а.х. диода, не учитывают ряда особенностей, вытекающих из физических принципов его работы, в частности установления конечных значений прямого и обратного сопротивлений прибора. Если в схеме рис. 3.4, a диод был выключен, то после подачи отпирающего напряжения статическое значение напряжения ( 7пр установится лишь в том случае, когда в базовом кристалле диода концентрация неосновных носителей примет равновесное значение, соответствующее заданному уровню прямого тока i E / R. Если тд - время жизни неосновных носителей заряда при их диффузии, то в течение времени установления прямого сопротивления / Уп Зтд асимптотически изменяется значение прямого сопротивления диода. В момент появления скачка отпирающего напряжения, когда базовый кристалл еще не насыщен избыточными неосновными носителями, прошедшими через p - n - переход, сопротивление кристалла велико и напряжение на диоде превышает установившийся уровень С / пр. По мере насыщения базового кристалла неосновными носителями заряда сопротивление диода уменьшается и соответственно уменьшается напряжение ыак. [41]
Эвтектическая кристаллизация начинается с развития аустенитного дендрита на гранях базового кристалла карбида. Такой дендрит в косом сечении представлен на рис. 5, г. В промежутках между ветвями аустенитного дендрита прорастают ответвления базового кристалла карбида ( рис. 5, д), преимущественно развивающиеся от ребер базового кристалла. [42]
Трудности отвода рассеиваемого кристаллами теплоты преодолеваются за счет совершенствования методов сборки матричных кристаллов на конструктивные элементы более высоких уровней конструктивной иерархии с целью уменьшения теплового сопротивления. Керамические носители герметизируются и обеспечивают межсоединения между базовыми кристаллами с помощью толстопленочной многослойной гибридной технологии. [43]
При этом должно быть обеспечено не только согласование требуемых последовательностей управляющих слов каждого уровня, но и их выполнение во временных циклах. Описываемая микроЭВМ характеризуется гибкой, перестраиваемой архитектурой, перестройка которой осуществляется выбором наборов микрокоманд и синхропрограмм в матричных накопителях. Эта особенность архитектуры позволяет на одном и том же базовом кристалле организовать две существенно различные архитектуры; процессор обработки команд программы пользователя и процессор для вычисления трансцендентных функций и выполнения арифметических операций с плавающей запятой. Процессор логических операций также отличается по архитектуре в соответствии с системой используемых микрокоманд и синхропрограмм. [44]
Выпускаются КМДП-базовые матричные кристаллы ( БМК), содержащие от нескольких тысяч до десятков тысяч логических вентилей. Для реализации специализированной БИС на основе КМДП-базового кристалла обычно применяется одноуровневая металлизация. С целью обеспечения трассируемости БИС и повышения плотности упаковки элементов на базовом кристалле создают элементы подныривания проводников, в качестве которых применяются легированные дорожки в поликремниевых слоях. [45]
Страницы: 1 2 3 4