Базовый кристалл

Cтраница 2

Микросхема представляет собой многофункциональную цифровую матрицу, содержащую в базовом кристалле 50000 интегральных элементов или 3200 вентилей. [16]

Матричная микросхема - интегральная микросхема, изготовленная путем соединения элементов базового кристалла микросхемы между собой и с контактными площадками по индивидуальной схеме. [17]

Транзистор представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором на базовом кристалле размещены два p - n - перехода. [18]

Биполярный транзистор - трехэлектродный полупроводниковый прибор, в котором на базовом кристалле размещены два р-га-пере-хода. Сечение транзистора типа п-р - п, показывающее чередование слоев с р - и n - проводимостью в различных участках полупроводника, показано на рис. 3.10. Каждый из / 9-п-переходов транзистора обладает свойствами обычного диода. [19]

Для обеспечения экономической эффективности выпуска полупроводниковые БИС целесообразно проектировать на основе единого базового кристалла, содержащего однотипные логические элементы, из которых, изменяя топологию металлических соединений, можно получить БИС, выполняющие различные функции. Таким образом, при проектировании БИС необходимо обеспечить схемную однородность. [20]

В качестве генерального направления оптимизации межэлементных связей на кристалле следует считать повышение функциональной мощности базового кристалла. Решение этой задачи для СБИС возможно несколькими путями, среди которых основными представляются следующие: совершенствование размещения элементов и трассировки связей на кристалле СБИС, оптимизация схемотехнической организации логических элементов в кристалле. Рассмотрим эти пути подробнее. [21]

В целях улучшения технико-экономических показателей, увеличения процента выхода годных микросхем и их унификации были разработаны интегральные полупроводниковые схемы на базовом кристалле. В этих схемах полупроводниковая пластина в результате использования достаточно сложной технологии изоляции окисными карманами оказывается разделенной на отдельные, полностью изолированные друг от друга области, в которых формируются стандартные наборы компонентов. При этом за счет индивидуальной коммутации на поверхности пластины могут быть получены различные модификации схем. [22]

Расширение логических возможностей БИЛС достигается, в основном, разработкой функциональных схем, которые выполняются на одной подложке или одном базовом кристалле микросхемы. [23]

Siemens AG; ЭВМ Star - lOOA фирмы CDC, мини - ЭВМ Hitac - Ю фирмы Hitachi, аппаратная часть построена с применением БИС на базовых кристаллах, причем степень интеграции последних модификаций достигает нескольких сотен и тысяч эквивалентных логических вентилей. [24]

Схема элемента низкоуровневой эмиттерно-связаннои логики. [25]

Малое число компонентов схемы, работа схемы без источника опорного напряжения, относительно высокая помехоустойчивость и быстродействие делают схемы низкоуровневой эмиттерно-связаннои логики привлекательными для использования при создании БИС на базе матричных базовых кристаллов. [26]

На гранях базового кристалла висмута зарождаются плоские дендриты олова. От прожилок, разделяющих дендритные ветви, растет следующий слой висмута. [27]

Зависимость между повторяемостью БИС в вычислительной системе от функциональной сложности БИС, N-сложность системы в вентилях. [28]

Конкретная настройка базового кристалла осуществляется изготовлением на заключительных стадиях производства уникальных для каждого типа БИС межсоединений между элементами матрицы. При этом регулярность топологии базового кристалла позволяет наиболее полно автоматизировать все этапы разработки и изготовления заказных БИС в короткие сроки при экономически оправданной цене даже для малой тиражности БИС. [29]

Размеры контактной площадки для внешних выводов. [30]

Страницы: 1 2 3 4