Cтраница 1
Исходный кристалл выращен из ксилола при температуре 85 С. [2]
Электронные микрофотографии сколов таблеток моноаммонийфос-фата ( увеличение Х10000. [3] |
Исходные кристаллы NH4H2PO4, имеющие тетрагональную сингонию, при небольшом давлении ( РсжЗОМПа) разрушаются, обломки кристаллов образуют рыхлую хаотичную структуру, на поверхности обломков сохраняется дальний порядок расположения блоков, наблюдаются кристаллические наросты правильной формы. [4]
Однооперационный тиристор. [5] |
При исходном кристалле и-типа тиристор крепится со стороны анода. Это обусловлено: 1) стремлением повысить механическую прочность прибора, так как анод граничит с толстой базой пг; 2) облегчением условия выполнения наружного вывода от электрода управления и от слоя р2, граничащего с катодом. [6]
Рассмотрение спектров исходных кристаллов и гранулированного цеолита позволяет заключить следующее. [8]
Молекулы в исходном кристалле должны обладать достаточной подвижностью, чтобы приблизиться друг к другу на расстояние меньше 3 А, необходимое для начала химической реакции. [9]
Влияние температуры прессования на неоднородность состава брикета ( Рп 35 3 МН / м2. [10] |
С увеличением размеров исходных кристаллов степень разделения возрастает. Так, при прочих равных условиях, использование крупнокристаллического исходного продукта, получаемого при кристаллизации в емкостном аппарате, по сравнению с мелкокристаллическим, получаемым на барабанном кристаллизаторе, приводит к повышению концентрации прессованного продукта. [11]
Если тип проводимости исходного кристалла отличается от того, который создается вплавляемым элементом, то в результате вплавления образуется электронно-дырочный переход. Состав ре-кристаллизованного слоя у перехода определяется максимальной температурой нагрева и коэффициентом распределения вплавленной примеси. [12]
Оси х, у и г в кристалле природного кварца.| Эквивалентная схема радиокварца.| Зависимость реактивного и активного сопротивления кварца от частоты. [13] |
При изготовлении кварцевой пластинки исходный кристалл распиливается на блоки, ориентированные по осям х, у и г исходного кристалла. Толщина пластов уменьшается шлифовкой в соответствии с требуемой частотой. Из этих пластов вырезаются заготовки пластинок. Заготовки пластинок для укрепления между параллельными пластинчатыми электродами аккуратно очищаются и обтачиваются до окончательных размеров. Для пластинок под металлизацию и пластинок, монтируемых на проводниках, процесс обточки и травления прекращается, когда достигается необходимая толщина. После обточки заготовки основательно очищаются и иногда подвергаются циклическому нагреву. [14]
При CyCj воспроизводится ориентировка исходного кристалла, при Су С2 возникает двойниковая ориентировка с плоскостью двойни-кования ( 111), входящей в ориентационное соотношение. [15]