Исходный кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Никому не поставить нас на колени! Мы лежали, и будем лежать! Законы Мерфи (еще...)

Исходный кристалл

Cтраница 1


1 Электронная микрофотография отожженного монокристалла полиэтилена.| Зависимость числа дырок, образующихся в процессе отжига монокристалла полиэтилена, от температуры. Структура кристалла показана на Образец с широким молекулярное есовым распределением ( Мп около 10 4 закристаллизован из ксилолъных растворов при температуре 85 С. Концентрация растворов - от 0 01 до 0 05 вес %, Число дырок в образцах подсчитывали после отжига в течение 22 ч, однако после первых нескольких часов отжига изменения числа дырок незначительны. В кристаллах, выращенных при более высокой температуре, число дырок при отжиге. [1]

Исходный кристалл выращен из ксилола при температуре 85 С.  [2]

3 Электронные микрофотографии сколов таблеток моноаммонийфос-фата ( увеличение Х10000. [3]

Исходные кристаллы NH4H2PO4, имеющие тетрагональную сингонию, при небольшом давлении ( РсжЗОМПа) разрушаются, обломки кристаллов образуют рыхлую хаотичную структуру, на поверхности обломков сохраняется дальний порядок расположения блоков, наблюдаются кристаллические наросты правильной формы.  [4]

5 Однооперационный тиристор. [5]

При исходном кристалле и-типа тиристор крепится со стороны анода. Это обусловлено: 1) стремлением повысить механическую прочность прибора, так как анод граничит с толстой базой пг; 2) облегчением условия выполнения наружного вывода от электрода управления и от слоя р2, граничащего с катодом.  [6]

7 ИК спектры образцов. 1 - воздушносухая соль 5, 6 оксинитрата алюминия. 2 - продукт термической обработки соли при 450 С. 3 - цеолит, гранулированный 5, 6 оксинитратом алюминия ( до термической обработки. 4 - то же самое после термической обработки при 450. 5 - исходные кристаллы цеолита ГО Б NaA Ц-202-125. [7]

Рассмотрение спектров исходных кристаллов и гранулированного цеолита позволяет заключить следующее.  [8]

Молекулы в исходном кристалле должны обладать достаточной подвижностью, чтобы приблизиться друг к другу на расстояние меньше 3 А, необходимое для начала химической реакции.  [9]

10 Влияние температуры прессования на неоднородность состава брикета ( Рп 35 3 МН / м2. [10]

С увеличением размеров исходных кристаллов степень разделения возрастает. Так, при прочих равных условиях, использование крупнокристаллического исходного продукта, получаемого при кристаллизации в емкостном аппарате, по сравнению с мелкокристаллическим, получаемым на барабанном кристаллизаторе, приводит к повышению концентрации прессованного продукта.  [11]

Если тип проводимости исходного кристалла отличается от того, который создается вплавляемым элементом, то в результате вплавления образуется электронно-дырочный переход. Состав ре-кристаллизованного слоя у перехода определяется максимальной температурой нагрева и коэффициентом распределения вплавленной примеси.  [12]

13 Оси х, у и г в кристалле природного кварца.| Эквивалентная схема радиокварца.| Зависимость реактивного и активного сопротивления кварца от частоты. [13]

При изготовлении кварцевой пластинки исходный кристалл распиливается на блоки, ориентированные по осям х, у и г исходного кристалла. Толщина пластов уменьшается шлифовкой в соответствии с требуемой частотой. Из этих пластов вырезаются заготовки пластинок. Заготовки пластинок для укрепления между параллельными пластинчатыми электродами аккуратно очищаются и обтачиваются до окончательных размеров. Для пластинок под металлизацию и пластинок, монтируемых на проводниках, процесс обточки и травления прекращается, когда достигается необходимая толщина. После обточки заготовки основательно очищаются и иногда подвергаются циклическому нагреву.  [14]

При CyCj воспроизводится ориентировка исходного кристалла, при Су С2 возникает двойниковая ориентировка с плоскостью двойни-кования ( 111), входящей в ориентационное соотношение.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5