Исходный кристалл

Cтраница 3

Обычно одновременно с вплавлением индия в германий производят припайку исходного кристалла к кристаллодержателю. В этом случае в графитовую кассету закладывают никелевый или ко-варовый кристаллодержатель, залуженный, например, оловом с присадкой сурьмы. После сплавления кристалл с переходом подвергают химическому или электролитическому травлению для удаления возможных загрязнений. Остатки травителя смывают дистиллированной водой. [31]

Зародыши кристаллов р образуются в первую очередь на границах исходных кристаллов а-твсрдого раствора. Состав я - и р-фаз различный, поэтому для образования р-фазы необходимо диффузионное перераспределение компонентов. При высоких скоростях охлаждения диффузионные процессы, необходимые для образования Р - фазы не успевают пройти, и [ 3-фаза не выделяется из эс-фазы. [32]

Микроканалы концентрируются преимущественно в тех местах, где в исходном кристалле имеются инородные вкрапления или дислокации, Представляющие собой линейные нарушения кристаллической решетки. [33]

Полярное направление в тетрагональной фазе параллельно одной из осей 4 исходного кристалла. [34]

Наращивание слоя, кристаллическая решетка которого является непосредственным продолжением решетки исходного кристалла. Наращиваемый слой может при этом заданным образом легироваться. Описаны, например, методы, при которых эпитаксиальное выращивание используется для создания в транзисторных структурах перехода коллектор - база. [35]

Схема развития реакционной зоны на зернах порошка. [36]

Предполагается, что зародыши возникают не в любой точке поверхности исходного кристалла, а в особых точках, где имеются особо благоприятные для этого условия. Такие точки называют потенциальными центрами ядрообразования. [37]

Кристаллическая структура полимера не должна слишком сильно отличаться от структуры исходного кристалла. [38]

В кристаллах полупроводников, кроме простых двойниковых образований первого порядка относительно исходного кристалла, могут существовать двойники высокого порядка. Индивиды А и В оба являются двойниками первого порядка относительно исходного кристалла. [39]

Распределение примесей в р-п - р структуре, полученной методом сплавления. [40]

В транзисторной структуре, полученной методом сплавления, областью базы служит исходный кристалл полупроводника, а эмиттерная и коллекторная области представляют собой рекристаллизо-ванные слои. На рис. 2 - 7 схематически показано, что содержание легирующей примеси в эмиттерной и коллекторной областях одинаково. Так бывает, если для их получения берется один и тот же материал. В принципе это не обязательно, и при использовании с этой целью различных сплавов содержание легирующих примесей в эмиттере и коллекторе может различаться. [41]

В процессе разработки был сконструирован макет, в котором в качестве исходных кристаллов были выбраны пластинки со следующими размерами: Ь 20 мм, Ь Ю мм, а 5 мм, / z 50 мм и / г12 мм. Усилие ( сжатие) прикладывается к пластинке в направлении оси Y и осуществляется при помощи электродвигателя. [42]

При последующем травлении этот слой остается только на одной из граней исходного кристалла. После травления производятся промывка и покрытие кристалла защитной пленкой. [43]

Условия кристаллизации полугидрата благоприятствуют зарождению чрезвычайно мелких новообразований в пределах габитуса исходных кристаллов. Подобные высокодиспергированные системы термодинамически неустойчивы, отличаются высокой поверхностной активностью и реакционной способностью. Все это приводит к резкому ускорению процессов гидратации, явлению ложного схватывания пониженной пластичности затворенного материала и необходимости вводить большой избыток воды для обеспечения технологической подвижности гипсового теста. Водопотребность вяжущего для получения теста нормальной густоты, как правило, возрастает с повышением температуры обработки и сокращения ее продолжительности. Прочность изделий можно увеличить, применяя методы виброформования и прессования из жестких смесей, а также поверхностно-активные вещества для повышения их пластичности параллельно с введением химических добавок, замедляющих схватывание водогипсовых композиций. [44]

Различ ные виды выделений избыточной фазы з пересыщенного твердого раствора при охлаждений ( схема. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5