Cтраница 2
Измеряют интенсивности дифракционных отражений для исходного кристалла и для кристаллов, содержащих тяжелый атом. [16]
Чем меньше дефектных мест у исходных кристаллов СаСОз, а также чем меньше отклонение системы от равновесия ( малые пересыщения), тем меньше возникает зародышей новой фазы в единицу времени. Индукционный период растягивается на значительный интервал времени, тогда как при обратных условиях сильно сокращается. [17]
Внешняя форма проявленного серебра непохожа на исходный кристалл. В электронный микроскоп видно множество отдельных серебряных нитей, спутанных в виде клубка. Бесформенность серебра наиболее характерна для очень медленного мелкозернистого проявления. Форма частицы металлического серебра, полученного в быстроработающем, например, позитивном проявителе, мало отличается от исходного кристалла галогенида серебра. [18]
Внешняя форма проявленного серебра непохожа на исходный кристалл. В электронный микроскоп видно множество отдельных серебряных нитей, спутанных в виде клубка. Бесформенность серебра наиболее характерна для очень медленного мелкозернистого проявления. Форма частицы металлического серебра, полученного в быстроработающем, например позитивном проявителе, мало отличается от исходного кристалла галогенида серебра. [19]
На рис. 7.19 приведено изменение доли исходных кристаллов, рекристаллизованно-го полимера и растворенного материала со временем при изотермическом отжиге. Таким образом, для процесса отжига в присутствии хорошего растворителя хорошо подходит термин оствалъдово созревание ( разд. Никакие другие кристаллы, кроме кристаллов полиэтилена, детально не исследованы. [20]
При создании транзисторных структур методом сплавления в однородный исходный кристалл полупроводника вплавляются электродные заготовки - шарики, пластинки или кусочки проволочки из металла или сплава, содержащего в необходимом количестве добавки, используемые для легирования полупроводника. Процесс сплавления представляет собой образование однофазного многокомпонентного жидкого раствора при нагреве двух или более твердых фаз, находящихся в контакте друг с другом. Образование сплавного электронно-дырочного перехода происходит следующим образом. [21]
Характер диссипативной структуры зависит от сдвиговой устойчивости исходного кристалла и условий его деформирования. В случае сдвигоустойчивых кристаллов при дислокационном механизме скольжения диссипативная структура имеет вид ячеистой субструктуры. [22]
Характер диссипативной структуры зависит от сдвиговой устойчивости исходного кристалла и условий его деформирования. В случае сдвигоустойчивых кристаллов при дислокационном механизме скольжения диссипативная структура имеет вид ячеистой субструктуры. При низких температурах и высоких скоростях деформации в решетке можно создать сильные коллективные смещения атомов, в то время как формирование дислокационной субструктуры затруднено. В этих условиях диссипативиая структура формируется в виде двойников деформации в неравновесной решетке с сильными смещениями атомов из ее узлов. [23]
Если кристаллизация ограничена затвердеванием остающегося после образования отдельных исходных кристаллов расплава, то вследствие большей подвижности при более высоких температурах кристаллизации должны достигаться и большие степени кристалличности. [24]
ЛГ - средняя разностная концентрация примеси в исходном кристалле; Nmax, Nmin - максимальная и минимальная разностные концентрации примеси в кристалле после легирования; ЛГ15 N2 - разностные концентрации примеси в кристалле после легирования соответственно в области, где N - максимальна и минимальна; ос, А, V - разброс УЭС в монокристалле до и после легирования и только после НТЛ соответственно; К N / N0 - степень легирования. [25]
В прямых процессах атомы полупроводника непосредственно переносятся от исходного кристалла ( источника) к подложке без промежуточных взаимодействий; к ним относятся процессы испарения, сублимации, распыления в разряде. Миграция осевших атомов по поверхности приводит к возникновению устойчивых, зародышей кристаллизации. [26]
Сдвойникованный участок ориентирован определенным образом по отношению к исходному кристаллу. Формально двой-никование можно свести к скольжению, причем в этом случае сдвиг отдельных плоскостей кристалла пропорционален расстоянию от плоскости, разделяющей деформированную часть от недеформированной - плоскости двойникования. [27]
Само по себе применение сильно легированных полупроводников в качестве исходного кристалла при образовании р - n - перехода с туннельным эффектом является условием необходимым, но не достаточным. Как уже указывалось, концентрация примесей на другой стороне р-л-перехода должна также приводить к вырождению электронного газа. Большая концентрация должна сочетаться с резким ( ступенчатым) спадом ее в области перехода. Только в этом случае переход будет достаточно тонким и в нем возникает необходимое для туннельного эффекта сильное поле. [28]
Образующиеся при этом макромолекулы обычно ориентированы вдоль определенной оси исходного кристалла в направлении, по к-рому взаимное расположение мономеров оптимально для образования хим. связей между ними ( топотактич. [29]
При этом наращиваемый слой - точное продолжение монокристаллической структуры исходного кристалла р и может иметь тот же или другой тип проводимости, в результате чего можно получить очень резкий п-р-переход. [30]