Исходный кристалл

Cтраница 4

Зародыши кристаллов р / / образуются в первую очередь на границах исходных кристаллов а-твердого раствора. [46]

Примеры, приведенные в двух предыдущих разделах, показывают влияние примесей на исходный кристалл. [47]

Верхняя температурная область отжига начинается, таким образом, вблизи температуры плавления исходных кристаллов и представ ляет собой область, в которой доля рекристаллизационных процессов прогрессивно возрастает ( разд. Экспериментальные результаты в этой температурной области сильно зависят от скорости исходного нагревания. При Очень быстром нагревании эффект отжига вообще не проявляется и наблюдается лишь плавление. Эффект отжига в максимальной степени проявляется при медле. Следует отметить, что в подвергшейся рекристаллизации части отжиг протекает быстрее в результате совершенство вания, следующего сразу же за кристаллизацией ( см. разд. Всеми этими эффектами можно легко объяснить наблюдаемую часто противоречивость экспериментальных результатов. [48]

Все типы деформационных дефектов в кристаллах являются не просто нарушением периодичности структуры исходного кристалла, а представляют собой элементы других структур. ГЦК-кристаллах есть элементы ГПУ-структуры, ограниченные частичными дислокациями, а протяженные дефекты упаковки и двойники в ГЦК-кристаллах с низкой энергией дефекта упаковки - планарные ГПУ-структуры на плот-ноупакованных плоскостях. В [8] убедительно показано, что и в ОЦК-кристаллах дислокации расщеплены и, следовательно, также являются фрагментами других структур. [49]

Другой путь возможен, например, если происходит проникновение воды в решетку исходного кристалла с непосредственным превращением его в новый продукт гидратации. Это, по-видимому, может происходить в тех случаях, когда исходные кристаллы получаются достаточно умеренным нагревом такого же гидратированного кристалла или дегидратацией его без нагрева. При последующей гидратации молекулы воды вновь занимают места, освободившиеся ранее при дегидратации. Так, в некоторых кристаллах, обладающих слоистой структурой, например в кристаллах монтмориллонита, молекулы воды могут входить в промежуток между слоями, связываясь с содержащимися в них гидроксильными группами или с катионами. Такая вода называется не кристаллизационной, а цеолитной, так как это явление свойственно минералам группы цеолитов. [50]

Графики зависимости tgfi от температуры кристалла кварца иа частоте 1 кГц. [51]

Это может быть результатом существенного пониженного содержания электрически активных щелочных ионов в исходных кристаллах и результатом подавления миграции щелочных ионов неструктурной примесью. [52]

Графики зависимости tgd от температуры кристалла кварца иа частоте 1 кГц. [53]

Это может быть результатом существенного пониженного содержания электрически активных щелочных ионов в исходных кристаллах н результатом подавления миграции щелочных ионов неструктурной примесью. [54]

Метод контролируемой валентности позволяет получать заданную концентрацию атомов с измененной валентностью в исходном кристалле и, как мы уже отмечали в предыдущих разделах, увеличивать электропроводность окиси никеля, которая в обычном состоянии является диэлектриком. Метод контролируемой валентности имеет также большое значение при определении магнитных свойств соединений переходных металлов, поскольку эти свойства определяются степенью заполнения d - электронных оболочек в атомах переходных металлов. [55]

Большое влияние на начальную скорость полимеризации и на дальнейший ход процесса оказывают дефектность исходного кристалла и появление новых дефектов в процессе превращения. [56]

Индивид С представляет собой двойник первого порядка относительно В, двойник второго порядка относительного исходного кристалла и двойник третьего порядка относительно А. [57]

Полупроводниковые элементы. [58]

Планарно-эпитаксиальный транзистор ( рис. 22.3, б) отличается от пленарного только Б исходном кристалле. В этом случае он состоит из двух слоев одного типа проводимости, но с разной величиной удельного сопротивления. [59]

Кроме того, для увеличения глубины модуляции площади поперечного сечения канала и его сопротивления исходный кристалл полупроводника должен обладать малой концентрацией примесей. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5