Легированный кристалл

Cтраница 1

Легированные кристаллы получают добавлением примесных элементов в расплав. При этом необходимо рассмотреть три эффекта: концентрационное переохлаждение, сегрегацию и неравномерное распределение примесей. [1]

Вольт-амперные характеристики кремниевых стабилитронов при различных температурах окружающей среды.| Зависимость температурного коэффициента напряжения различных стабилитронов - от напряжения стабилизации. [2]

В слабо легированных кристаллах основной причиной температурных изменений напряжения стабилизации является температурная зависимость длины свободного пробега носителей. [3]

В сильно легированных кристаллах пробой имеет туннельный характер. Вероятность туннельного перехода возрастает с увеличением температуры. Поэтому низковольтные стабилитроны имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения стабилизации. В этой области ( [ / ст 5 - 6 в) изменения напряжения стабилизации с ростом температуры минимальны. [5]

В сильно легированных кристаллах донорно-акцептор-ное взаимодействие практически исключено, так так в таких кристаллах даже специальными технологическими усилиями невозможно добиться высокой степени компенсации. [6]

Для получения легированных кристаллов к исходной смеси компонентов добавляются навески легирующих примесей: In, Ga, P, As. [7]

Для получения легированных кристаллов в тигель с расплавом вводят навеску лигатуры, рассчитанную в соответствии с коэфф. Перспективным является метод подпитки расплава чистым материалом. При плохом перемешивании расплава вокруг кристалла и наличии тепловой асимметрии наблюдаются локальные колебания электросопротивления в кристалле. [8]

Распределение температуры в печи для сублимации. [9]

Для выращивания легированных кристаллов или кристаллов с заданным отклонением от стехиометрии используют два метода. [10]

Аппаратура для выращивания органических кристаллов из водного раствора ( Ниче. [11]

Для получения легированных кристаллов в раствор добавляют примесь, причем концентрация ее в растущем кристалле определяется коэффициентом распределения. В общем случае отношение между основным компонентом и примесью в растворе отличается от соответствующего отношения в кристалле. Это как раз тот случай, когда состав кристалла изменяется в процессе роста. [12]

Аналогично в легированном кристалле р-типа время жизни будет определяться концентрацией центров рекомбинации и вероятностью захвата электрона рекомбинационным центром. Следовательно, величины lA / V / Yp и / Ntyn имеют смысл времен жизни неосновных носителей заряда в легированных полупроводниках. [13]

Распределение кон центрации электронов и напряженности электрического поля в кристалле генератора Ганна в первый момент после подачи постоянного напряжения.| Распределение концентрации электронов и напряженности электрического поля в кристалле после формирования домена. [14]

Пусть на однородно легированный кристалл арсенида галлия ( рис. 8.2), имеющий два невынрямляющих электрических перехода с электродами катода и анода, подано постоянное напряжение, создающее в кристалле напряженность электрического поля, несколько меньшую порогоаой напряженности. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5