Легированный кристалл

Cтраница 3

Рассмотрим, насколько справедливы выражения таблицы 3.2 для сильно легированных кристаллов. Очевидно, что достаточно будет исследовать какое-либо одно из них, например первое. [31]

Уровень Ферми при Т 0 К для трех наиболее сильно легированных кристаллов находится на высоте 0 01; 0 04 и 0 08 эВ от дна зоны проводимости. [32]

Было установлено, что при помощи газотранспортных реакций можно получать легированные кристаллы. [33]

Предположим, что производится оптимизация конструкции ( возможных режимов работы) установки для выращивания равномерно легированных кристаллов. Уровень легирования определяет не только марку ( сорт) кристалла, но и режим процесса. [34]

Выяснение причин этого несоответствия, а также возможности повышения концентрации электронов в зоне проводимости сильно легированных кристаллов представляется нам одной из важных задач физического материаловедения полупроводников. [35]

Зависимость пьезосопротивления легированных образцов германия от температуры. [36]

Эти данные, а также ряд работ по исследованию пьезосопротивления кремния [118] показывают перспективность использования сильно легированных кристаллов в качестве материала для температурно-стабильных тензометров. [37]

Образование структуры голландита ( б из структуры рутила ( а путем вращения. [38]

Более того, авторы работы [33] отрицают возможность высоких концентраций точечных дефектов в несте-хиометрических или легированных кристаллах. Новая структурная организация как результат кристаллографического сдвига в идеальной структуре возникает самопроизвольно и во многих случаях не требует больших активационных затрат. Андерссон [50] показал, что МоОз, конденсируясь на поверхности Nb2O5, создает блочную структуру со скоростью, близкой к скоростям взрыва. [39]

Во всех этих методах кристаллизация сопровождается выделением примесей, что крайне вредно особенно при необходимости получения сильно легированных кристаллов. Этот недостаток можно устранить ( именно при методе вытягивания) с помощью непрерывной подпитки. [40]

Схема объемного резистора. [41]

Объемные резисторы ( рис. 5.8) изготавливаются путем создания омических контактов в двух тбчках однородного, равномерно легированного кристалла кремния. [42]

При отжиге наклон кривой Холла возрастает до величины порядка 0 13 эв, сравнимой со значением, полученным для легированных кристаллов. [43]

В качестве источника не обязательно пользоваться монокристаллами германия, однако для сравнения концентрации примеси в исходном материале и в эпитаксиальном слое целесообразно брать однородно легированные кристаллы. Германий, используемый в качестве источника, дробят на несколько кусков, так как чем больше площадь поверхности, тем интенсивнее реакция взаимодействия между германием и парами иода. Однако для сохранения высокой чистоты не следует брать мелкий порошок, так как скорость процесса при этом возрастает слабо, а продолжительность дегазации увеличивается. [44]

Используя это значение, из уравнения H s Е 2 76 - 2 78 эв находим, что Н равно 1 76 - 1 78 эв, что практически совпадает с величиной 1 75 эв, полученной на основании результатов изучения легированных кристаллов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5