Легированный кристалл
Cтраница 2
 |
Распределение концентрации электронов и напряженности электрического поля в кристалле после формирования домена. [16] |
Пусть на однородно легированный кристалл арсенида галлия ( рис. 8.2), имеющий два невыпрямляющих электрических перехода с электродами катода и анода, подано постоянное напряжение, создающее в кристалле напряженность электрического поля, несколько меньшую пороговой напряженности. [17]
 |
Зонная модель и вольт-амперная характеристика с нагру. [18] |
Туннельные диоды изготавливаются из сильно легированных кристаллов германия, кремния или арсеннда галлия. Удельное сопротивление кристаллов составляет примерно 10 - 3 ом - см. что соответствует, например, концентрации атомов примеси ( As) порядка 2 1019 см-3 в отличие от концентрации 10й - 1018 атомов As на 1 см3 в нормально легированных кристаллах. [19]
Наличие слоев роста в легированных кристаллах является общим свойством как для атомных полупроводников ( типа Ge и Si), так и для полупроводниковых соединений. [20]
Таким образом, в случае сильно легированных кристаллов необходимо пользоваться статистикой Ферми и поэтому решение конкретных уравнений нейтральности усложняется. [21]
Величина Л / д в сильно легированных кристаллах может достигать весьма больших значений, сравнимых с концентрацией примесных ионов. [22]
Другие примеры рассмотрены при изучении выращивания легированных кристаллов и при обсуждении вопросов, определяющих кинетику газотранспортных реакций ( гл. [23]
 |
Эскиз тигля для выращивания кристаллов SiC из раствора Si - С.| Схема получения кристалла SiC способом плавающей зоны. [24] |
Этот способ может быть использован для получения легированных кристаллов с контролируемой концентрацией примесей, а также для выращивания р - / г-переходов в процессе роста кристалла. Следует однако отметить, что этот способ получения кристаллов SiC по скорости роста значительно уступает другим методам выращивания кристаллов. [25]
Установлено, что характер кристаллизации в случае легированных кристаллов в отличие от нелегированных зависел ог вводимого количества выбранной примеси. [26]
Изложение теоретических и экспериментальных данных, касающихся сильно легированных кристаллов, не может быть выполнено без сравнения с обычными слабо легированными или чистыми полупроводниками. С этой целью почти в каждой главе книги имеется первый параграф Предварительные замечания, содержащий краткое освещение уже изложенных в литературе вопросов, относящихся к свойствам чистых беспримесных полупроводников. [27]
Действительно, при изучении поглощения на аддитивно окрашенных легированных кристаллах обнаружено несколько новых полос ( Z-полосы) [76, 77, 79], отсутствующих в спектрах нелегированных кристаллов. Заметим, однако, что эти измерения выполнены в основном при низких температурах на кристаллах, приготовленных при высоких температурах, затем охлажденных. Поэтому наблюдавшиеся полосы поглощения по крайней мере частично должны быть обусловлены ассоциатами, которые при высоких температурах не образуются. Трудность заключается в том, что такие кристаллы почти наверняка находятся в состоянии частичного равновесия. Для отнесения наблюдаемых полос к конкретным центрам необходимо попытаться выяснить не только вопрос о том, какие ассоциаты должны образоваться, но и о том какие реакции замораживаются, а какие нет. [28]
Все, что было сказано ранее о выращивании легированных кристаллов, справедливо и для выращивания кристаллов более концентрированных твердых растворов. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5