Легированный кристалл

Cтраница 5

При травлении сильно легированных монокристаллов выявляется периодическое распределение примеси в объеме. При этом полосы роста в продольных и поперечных сечениях выражены в таких кристаллах более четко, чем в слабо легированных кристаллах. Для сильно легированных кристаллов характерно присутствие каналов, обусловленных проявлением эффекта грани. С увеличением концентрации легирующей примеси количество таких образований в слитке увеличивается. Затем они сменяются ячеистой структурой. При фронте кристаллизации, выпуклом в сторону расплава, ячеистая структура начинает обычно развиваться от края слитка, а при вогнутом фронте-от его центра. Часто ( особенно на ранних стадиях развития ячеистой структуры) не наблюдается однозначной связи структуры с бороздами на внешней поверхности кристалла: борозды появляются обычно значительно раньше, что характерно для кристаллов, выращенных с повышенными скоростями. По мере развития ячеистой субструктуры увеличивается растравливание границ между волокнами, а сами волокна становятся менее правильными. [61]

Относительное расположение fх - 7. [62]

При определенных условиях химическая примесь с синглетным состоянием, расположенным по энергии выше уровня основного вещества, может служить ловушкой для синглетных экситонов. Уровень мономера 9 - МеОА лежит при энергии 25800 см 1, которая значительно выше уровня мономера 9 - CNA. Однако в легированном кристалле возбуждение основного вещества приводит к преобладающему излучению при энергии 19200 см 1 из эксиплекса, образованного примесью и основным веществом. [63]

Страницы: 1 2 3 4 5