Металлическая маска

Cтраница 3

Зависимость удельного сопротивления пленок хрома от толщины пленки и температуры подложки. [31]

В § 2.1 отмечалось, что геометрия резисторов в плане ( размеры аи /) обеспечивается съемными металлическими масками в процессе напыления или фотомасками в процессе фотолитографии. [32]

Схема проекционной элект-ронолитографии. [33]

В процессе проекционной электронолитографии экспонирование подложки с нанесенным на нее электроночувствитель-ным слоем производят несфокусированным потоком электронов через свободную металлическую маску. Свободная маска не позволяет получать замкнутые кольцевые рисунки. Ввиду этого чаще используют потоки электронов с катодов заданной конфигурации. [34]

Можно также, применяя широкий, несфокусированный поток электронов, экспонировать подложку с нанесенным на нее электроночувствительным слоем через свободную металлическую маску. Однако в этом методе существует геометрическое ограничение, связанное с невозможностью воспроизведения на свободной металлической маске замкнутых кольцевых рисунков. [35]

Особенно велико влияние испарителя на градиент температуры по поверхности подложки при использовании масочной технологии, когда подложка частично экранирована металлической маской. [36]

Трафареты, применяемые в толстопленочной технологии, можно подразделить на три подгруппы: с эмульсионными покрытиями элементных участков, с металлическим покрытием и сплошные металлические маски для контактной печати. [37]

Поскольку фотолитографические рисунки формируются с помощью светового излучения, то таким методом можно создавать рисунки с более сложной конфигурацией элементов и меньших размеров, чем их получают осаждением пленок через металлические маски. Фотолитография в настоящее время стала преобладающим методом производства схем в микроэлектронике, потому что именно в этой области необходима высокая точность воспроизведения мелких деталей или элементов рисунка микросхемы. [38]

Ом-см и неоднородно легированной пленки 7i - Si толщиной - 10 мкм методом химического осаждения из паровой фазы с использованием термически активированной реакции восстановления трихлорсилана ( необходимая легирующая примесь содержится в водороде) при температуре подложки около 1150 С и средней скорости роста - 1 мкм / мин; 4) получение контактной сетки с помощью вакуумного испарения Ti и Ag через металлическую маску; 5) создание просветляющего покрытия из SnO2 путем окисления тетраметилолова при температуре 400 С в атмосфере Аг; 6) отжиг полученной структуры в атмосфере Не, стимулирующий диффузию примесей к границам зерен. Графитовая пластина служит омическим контактом к р - области элемента, а низкоомная подложка из металлургического кремния р - типа обусловливает появление электрического поля на границе раздела p - Si - p - Si вблизи тыльной поверхности. Вследствие неоднородного легирования верхнего слоя M - Si в нем образуется тянущее электрическое поле. [39]

Металлические маски помещаются под сеточными, в непосредственной близости от них. Эти металлические маски могут перемещаться в направлении, параллельном расположению проволок, крепящихся вместе с маской неподвижно. Таким образом, затруднения, связанные с совмещением масок, уменьшаются, так как необходимо совершить только два простых линейных перемещения: металлической маски и подложки. Эти перемещения можно осуществлять довольно точно с помощью микрометрических винтов. И несмотря на то, что таким способом получить рисунок любой формы затруднительно ( ограничение из-за продольных и поперечных линий), тем не менее этим методом можно изготовить целый ряд рисунков микросхем. В частности, тонкопленочные приборы с полевым эффектом изготавливаются с применением проволочных сеточных масок, при этом получают целый ряд различных по контурам рисунков. [40]

Металлические соединения наносятся на сырые листы методом трафаретной печати. Через металлическую маску, на которой нанесен рисунок соединений, продавливается паста из порошка молибдена, связующего вещества и растворителя. Паста наносится под давлением и поэтому заполняет также пробитые в листах сквозные отверстия. После этого металлизированные листы сушатся и проверяются. Выявление дефектов в отдельных листах до того, как из них будет собрана плата, важно для получения высокого процента выхода годных изделий в данном технологическом процессе. [41]

Размеры пленочных элементов обычно очень малы, поэтому и отверстия в маске должны иметь размеры, исчисляемые микронами. Такие отверстия в металлических масках получают при помощи фотолитографии и химического травления. Получение масок микронных размеров - довольно сложная проблема, тем более, когда нанесение пленок необходимо проводить при повышенных температурах, вызывающих термические деформации подложек и масок. В связи с этим разрабатываются методы получения определенной конфигурации пленок с помощью фотолитографии. При этом удается получать разрешение порядка нескольких микрон, однако применение метода фотолитографии для получения рисунка в многослойных схемах требует дальнейшего совершенствования. [42]

Нанесение пленок через съемные маски осуществляют термическим испарением в вакууме либо ионно-плазменным распылением. Метод катодного распыления через съемные металлические маски не применяют, поскольку маска является экраном, искажающим электрическое поле между анодом и катодом, что может привести к прекращению процесса распыления; использование для этих целей масок из диэлектрических материалов нецелесообразно из-за низкой точности и трудности их изготовления. [43]

Тонкопленочная схема и набор масок. [44]

Долговечность таких масок ограничена тем, что их отверстия забиваются осаждающимся веществом. При напылений тонких пленок через металлические маски можно получить только простые геометрические фигуры, фигуры в виде колец или спиралей получить невозможно. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5