Металлическая маска

Cтраница 4

После нанесения моноокиси кремния напыляется верхняя обкладка из алюминия толщиной около 0 1000 мкм. Для получения рисунка могут применяться металлическая маска или фотолитография. [46]

Селективная эпитаксия кремния часто бывает необходима в производстве ИМС с различным уровнем интеграции. Этот процесс происходит локально в окнах оксидной или металлической маски, в результате чего на поверхности маски либо вообще не происходит нуклеации эпитаксиального слоя вследствие особенностей поверхности маскирующего покрытия, либо осаждение происходит, но осажденный слой впоследствии можно удалить вместе с участком маски. [47]

Для получения схемных элементов необходимо создать правильную конфигурацию. Для нанесения рисунка элементов применяют методы фотолитографии, металлических масок и шелко-графии. [48]

В этом случае трафарет под действием ракеля растягивается гораздо меньше, чем обычно, поскольку расстояние между подложкой и трафаретом не более 0 1 мкм. Метод контактной печати разработан в основном для использования металлических масок, которые изготавливают одним из известных методов. Эти маски представляют собой жесткие элементы, позволяющие наносить пасту почти без сдвига отпечатка. Использование масок значительно увеличивает срок службы ракеля. [49]

В настоящее время существуют три типа тонкопленочных полупроводниковых приборов: тонкопленочные полевые транзисторы с изолированным затвором ( ТПТ), транзисторы на горячих электронах и полупроводниковые транзисторы и диоды с р-п переходом. Тонкопленочные транзисторы изготавливаются последовательным осаждением различных материалов с применением металлических масок. [50]

Схема расположения субмодулей на гибкой печатной панели. [51]

Для сопротивлений используется металлическая пленка с удельным сопротивлением 500 ом / см2, необходимая геометрия которой обеспечивается за счет селективного травления. Проводящее покрытие наносится на подложку испарением в вакууме сплава золота с хромом через металлическую маску. [52]

Можно также, применяя широкий, несфокусированный поток электронов, экспонировать подложку с нанесенным на нее электроночувствительным слоем через свободную металлическую маску. Однако в этом методе существует геометрическое ограничение, связанное с невозможностью воспроизведения на свободной металлической маске замкнутых кольцевых рисунков. [53]

На рисунке 7.4 показано устройство наиболее распространенного цветного ( масочного) кинескопа. Три прожектора создают три независимых управляемых луча, которые падают в одну и ту же точку тонкой ( 0 15 мм) металлической маски, имеющей 55 104 отверстий диаметром порядка 0 25 мм. [54]

Устройство цветного кинескопа.| Получение цветного свечения на экране масочного кинескопа. [55]

На рис. 7.4 показано устройство наиболее распространенного масочного кинескопа. Три прожектора создают три независимых управляемых луча, которые падают в одну и ту же точку тонкой ( 0 15 мм) металлической маски, имеющей 55 - 104 отверстий диаметром порядка 0 25 мм. В качестве синего люминофора используется сульфид цинка, в качестве зеленого - сульфид-селенид цинка, в качестве красного - селенид цинка. [56]

На рис. 13.22 показано устройство наиболее распространенного г - - масочного кинескопа. Три прожекто - а - §: pa с электростатической фокусиров - - S: кой создают три независимо управляемых луча, которые падают в одну и ту же точку на тонкую ( 0 15 мм) металлическую маску, имеющую 550000 отверстий диаметром 0 25 мм. [57]

Весьма перспективным является изготовление из светочувствительного стекла или фотоситалла масок сложной конфигурации и точных размеров для микропленочной радиоэлектроники. Маски для напыления в вакууме тонкопленочных схем могут иметь толщину до 0 1 мм и менее, ширину щелей или диаметр отверстий от 100 до 20 мк, работают без коробления и провисания при температурах 400 - 450 С ( для светочувствительного стекла) и 750 - 800 С ( для фотоситалла), что представляет несомненные преимущества перед используемыми в настоящее время металлическими масками. Благодаря значительно меньшему коэффициенту линейного расширения, чем у металлических масок, маски из светочувствительного стекла позволяют достичь большей точности размеров напыляемого рисунка и уменьшить разброс электрических параметров, которые можно легко замерять в процессе напыления схем. [58]

Материалом для контактных площадок берется высокочистое золото. Для улучшения его адгезии к подложке применяется подслой из хрома. Напыление проводится через металлическую маску. Для испарения материалов используются ленточные испарители. Толщина контролируется по удельному сопротивлению напыляемой пленки. Напыление проводится при вакууме не хуже 5 - 10 - 5 тор. Подложки подогреваются до 230 20 С. Хром напыляют до удельного сопротивления ps50 20 ом / О. Затем проводится напыление золота. [59]

Тонкопленочные интегральные микросхемы получают осаждением пленок различных материалов на изоляционную подложку, в качестве которой наиболее часто используют боросиликатное стекло и и ситалл. Функциональные узлы получают в результате последовательного осаждения на подложку тонких пленок проводниковых, диэлектрических, полупроводниковых, магнитных и магнитодиэлектрических материалов из газопаровой фазы в вакууме. Для получения рисунка схемы используются специальные металлические маски. Ведется непрерывный контроль параметров образующихся элементов. Испарение осаждаемых материалов получается при нагревании их с помощью подогревателей, электронной бомбардировки или лазерного излучения. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5