Накопленный заряд

Cтраница 2

Распределение неравновесных дырок в базе при низком уровне инжекции в различные моменты времени в процессе выключения без ограничивающего резистора в цепи диода.| Зависимость нормированного обратного тока от нормированного времени в процессе выключения без ограничивающего резистора в цепи диода. [16]

Другая половина накопленного заряда успевает рекомбинировать в течение переходного процесса выключения диода. [17]

Рассасывание носителей в базе. [18]

В диффузионном приближении накопленный заряд можно оценить по формуле ( 2 - 84), заменяя р ( 0) на п ( 0) и w на WR. Однако на самом деле в слое коллектора имеется электрическое поле, обусловленное напряжением 1кгкк, причем дрейф носителей под действием этого поля оказывается более существенным, чем диффузия их. [19]

Заряд восстановления включает накопленный заряд и заряд емкости обедненного слоя. [20]

С течением времени накопленный заряд частично выводится из базы током / 2, а частично исчезает вследствие рекомбинации, поэтому переход восстанавливает высокое обратное сопротивление, обратный ток диода падает до установившегося значения / Обр. [21]

Эквивалентная схема устройства накопления зарядов. [22]

Таково среднее значение накопленного заряда, а заряд на каждой из элементарных емкостей будет пропорционален световому потоку на соответствующий элемент изображения. Поскольку все емкости между собой равны, а сообщаемые им заряды пропорциональны элементарному световому потоку или освещенности элементов изображения, то на накопительной мишени создается потенциальный рельеф, адекватный изображению. [23]

Как видно из вышеизложенного, накопленный заряд Q, соответствующий какому-либо выбранному значению /, является параметром, достаточно полно характеризующим быстродействие диода. В этом случае величина Q и свойства генератора импульсного напряжения ( в частности, его внутреннее сопротивление) определяют длительность процесса восстановления. [24]

Сз, чем снимается накопленный заряд, и схема возвращается в исходное положение. [25]

С точки зрения увеличения накопленного заряда представляет интерес возможность использования наведенной проводимости. [26]

Для диодов, у которых накопленный заряд локализован около р-п перехода, величина tz мала, соответственно мал и заряд, вытекающий из диода во время второй фазы. [27]

При / обр / Л2Р накопленный заряд быстро выносится из р-ба-зы, п - р - - n - транзистор выходит из режима насыщения и переход / 1 опять смещается в обратном направлении. [28]

Структурная схема ( а, распределение неосновных носителей перед выключением ( б, графики тока и напряжения при выключении ( в планарного тиристора с высокоомным. [29]

В результате прохождения обратного тока накопленный заряд начинает рассасываться и в момент времени переход / 8 запирается. В отличие от обычных тиристоров переход / 3 не пробивается. [30]

Страницы: 1 2 3 4