Cтраница 2
Диффузионная емкость как параметр характеризует зависимость приращения подвижных зарядов в базе от приращения напряжения на переходе. Соответственно в транзисторах различают диффузионные емкости - эмиттерную и коллекторную. Обычно в нормальном активном режиме Сэ. [16]
Совокупность векторов электрических сил, приложенных к подвижному заряду в разных точках пространства, называется электрическим полем. Это поле показывает величину и направление силы, испытываемой подвижным зарядом в различных точках. Следует отметить, что абсолютная величина каждого вектора силы зависит от величины подвижного заряда, а направление вектора силы - от его знака. [17]
Так как и электроны, и дырки представляют собой свободные подвижные заряды, то их концентрация не может изменяться скачком от Пп до пр ( или от рр до р), как это имеет место для жестко связанных с кристаллической решеткой полупроводника атомов доноров и акцепторов. [18]
На рис. 2.9, б показано распределение концентрации подвижных зарядов - электронов и дырок - в полупроводнике. [19]
Для рассматриваемой ситуации избыточный заряд определяется разностью между подвижным зарядом в приборе, находящемся в открытом состоянии, и зарядом, который присутствует в нем, когда прибор закрыт. [20]
Реакция на любое внешнее воздействие, нарушающее равновесное состояние подвижных зарядов, может быть описана с помощью неравновесной функции распределения, конкретный вид которой зависит от типа воздействия и определяется на основе решения кинетического уравнения Больцмана. [21]
Относительное повышение удельной электропроводности, вызванное втягиванием в приконтактный слой подвижных зарядов, не достигает таких значений, как ее понижение при удалении подвижных зарядов. Действительно, для компенсации контактного поля необходимо ввести в слой и в том и в другом случае примерно одно и то же число зарядов. При выходе из слоя подвижных зарядов они заменяются ионами с ничтожной подвижностью, концентрация же носителей тока убывает в 106 и более раз. При втягивании же подвижных зарядов концентрация их возрастает всего в несколько раз. [22]
Типовая конструкция МДП-транзистора. [23] |
Однако следует учесть, что поверхностный заряд состоит не только из подвижного заряда. Как было отмечено, при пороговом напряжении плотность подвижного заряда равна нулю. [24]
Механизм взаимодействия между двумя составляющими тока имеет отношение, во-первых, к подвижным зарядам и, во-вторых, к связанным зарядам; эти два случая можно рассмотреть в отдельности. [25]
Зависимость электропроводности от абсолютной температуры для различных систем. [26] |
Появление двух величин энергии активации указывает на то, что имеется два типа подвижных зарядов, из которых один появляется только выше определенных температур. [27]
Кроме неоднородности фиксированного внутриоксидного заряда, существенное влияние на характеристики системы МДП может оказывать также неоднородность подвижного заряда, связанного с загрязнением диэлектрика ионами легко ионизируемых примесей. [29]
По этим же представлениям, ток проводимости J возникает тогда, когда в соответствующем месте пространства имеются подвижные заряды. [30]