Cтраница 4
Сопоставление опытов Жузе и Гартмана показывает, что ьри любом запорном слое ( шеллак, бакелит, слюда, кварц, окись молибдена) пропускной ток приносит подвижные заряды из полупроводника к границе запорного слоя. Когда механизм тока сводится к переносу положительных дырок ( закись меди, селен), пропускной ток идет из полупроводника в изолятор. Когда же ток переносится электронами ( окись цинка и алюминия), направление пропускного тока обратное. При этом граница между металлом и изолятором не имеет значения: можно взять любой изолятор и любой металл; знак выпрямления определяется исключительно механизмом тока в полупроводнике. [46]
Сопоставление опытов Жузе и Гартмана показывает, что при любом запорном слое ( шеллак, бакелит, слюда, кварц, окись молибдена) пропускной ток приносит подвижные заряды из полупроводника к границе запорного слоя. Когда механизм тока сводится к переносу положительных дырок ( закись меди, селен), пропускной ток идет из полупроводника в изолятор. Когда же ток переносится электронами ( окись цинка и алюминия), направление пропускного тока обратное. При этом граница между металлом и изолятором не имеет значения: можно взять любой изолятор и любой металл; знак выпрямления определяется исключительно механизмом тока в полупроводнике. [47]
Если в электронный газ поместить заряд, то концентрация электронов вокруг него изменяется таким образом, что потенциал падает с увеличением расстояния значительно быстрее, чем в случае свободного заряда, не окруженного подвижными зарядами. [48]
Положим, например, что при концентрации подвижных зарядов п потребуется 10и зарядов в кубическом сантиметре контактного слоя для компенсации поля При этом удельная электропроводность слоя возрастает всего в 10 раз, тогда как при ноле противоположного знака почти все подвижные заряды будут выведены из слоя и заменятся ионами; сопротивление слоя при этом может возрасти в тысячи раз. [49]
Уравнение Лапласа применимо к области I, внутри центрального иона, и к области II, которая состоит из растворителя с диэлектрической проницаемостью D, но не содержит подвижных ионов. Область III содержит подвижные заряды, и поэтому в ней применимо уравнение Пуассона. Очевидно, что такое распределение будет неоднородным. На большом расстоянии от центрального иона усредненная по времени плотность заряда и потенциал равны нулю, и концентрации положительных и отрицательных ионов будут одинаковыми. Однако вблизи центрального иона концентрация N положительно заряженных подвижных ионов отличается от концентрации JV отрицательно заряженных ионов, причем первая величина будет больше в том случае, если центральный ион несет отрицательный заряд, и меньше, если он несет положительный заряд. [50]
Случай полупроводника с одинаковым числом подвижных зарядов обоих знаков имеет то преимущество, что электрические свойства полупроводника не зависят от примесей или отступлений от точного стехиометрического соотношения составляющих его элементов. Такие материалы отличаются гораздо большей устойчивостью. [51]
Модель электронов ( модель снселе) на однородно сэюимаемом фоне. В этом варианте безассоциативной модели ОСР подвижными зарядами являются электроны. В связи с этим при обсуждении свойств модели желе нередко подразумевается чисто электростатический положительный фон. [52]
Возникновение разноименных зарядов в поверхностном слое дисперсных систем приводит к ряду интересных явлений, называемых электрокинетическими. Электрокинетические явления развиты тем сильнее, чем выше подвижной заряд диффузного с. [53]
Однако следует учесть, что поверхностный заряд состоит не только из подвижного заряда. Как было отмечено, при пороговом напряжении плотность подвижного заряда равна нулю. [54]
В нормальных условиях концентрация подвижных зарядов, образуемых в результате ионизации основных атомов полупроводника, крайне мала. Поэтому широко используются так называемые примесные полупроводники, образование подвижных зарядов в которых облегчено. Такие полупроводники получают путем специальной технологической обработки. В простейших примесных полупроводниках между обыкновенными атомами полупроводника имеются атомы некоторых химических элементов. Примеси других атомов сильно изменяют электрические свойства полупроводника. [55]
Совокупность векторов электрических сил, приложенных к подвижному заряду в разных точках пространства, называется электрическим полем. Это поле показывает величину и направление силы, испытываемой подвижным зарядом в различных точках. Следует отметить, что абсолютная величина каждого вектора силы зависит от величины подвижного заряда, а направление вектора силы - от его знака. [56]
Дырки, диффундировавшие из р-полупроводника в - полупроводник, рекомбинируют ( теряют заряд, нейтрализуются) с его основными носителями - электронами и не вносят заметных изменений в структуру д-полу-проводника. Однако из-за ухода дырок из р-области в последней уменьшается концентрация подвижных зарядов, или, как принято говорить, происходит обеднение ее основными носителями. В результате возрастает сопротивление р-области. Аналогичное явление происходит в n - области вследствие диффузии электронов в р-об-ласть. [57]