Захват - дырка
Cтраница 1
Захват дырки не требует предварительного смещения атомного ядра. Положительная дырка захватывается ионом брома, адсорбированным на внешней поверхности или расположенным на изломе или неровности. В результате захвата образуется атом брома с колебательной энергией, значительно превосходящей ее значение в основном состоянии: электронное облако, связанное с ядром, расширяется при захвате электрона, но сжимается при захвате дырки. [1]
Время захвата дырок и электронов может превышать 10 - 3 с [202], плотность ловушек обычно имеет величину порядка 1015 см-3. Подставляя эти значения, а также величину Nc 4 - 1021 см-3 в выражение (2.8.1.14), получаем veff 4109с 1, т.е. значение, близкое к наблюдаемому. [2]
Наконец, захват дырки электроном на уровне, расположенном выше Dn, представляет собой акт рекомбинации. [3]
Постоянная времени захвата дырки, таким образом представляет собой время существования протона. Возможной гипотезой, объясняющей столь длительное время существования протонов непосредственно у поверхности германия, может являться экранировка протона диполями молекул воды. [4]
 |
К определению времени жизни электронов. [5] |
Ар - сечевие захвата дырки электроном; vp - скорость движения дырки относительно электронов; n - концентрация электронов. [6]
 |
Изменение положения уровня Ферми ( а и времени жизни неравновесных носителей - с ( б в зависимости от концентрации основных носителей заряда в полупроводнике. [7] |
РР - вероятность захвата дырок ловушками, когда все ловушки заняты электронами; & п - веройтность захвата электронов ловушками в условиях, когда все ловушки свободны; Тр0, т 0 - времена жизни дырок и электронов в этих условиях. [8]
Ар - сечение захвата дырки электроном; vp - скорость движения дырок относительно электронов; п - концентрация электронов. [9]
Необходимо сделать некоторые замечания относительно захвата дырок и электронов на первой стадии образования скрытого изображения. [10]
Это изменение фотопроводимости свидетельствует о захвате дырок ловушками. В точке С свет выключается, и проводимость резко падает до точки D. [11]
Одной из функций этих сенсибилизирующих слоев является захват дырок. Они не захватывают электронов при нормальной температуре. [12]
Это говорит о том, что процесс захвата дырок экспоненциально зависит от времени. [13]
Из этого соотношения была определена энергия активации захвата дырок поверхностью. [14]
 |
Состояние кристалла простого вещества, содержащего примесные доноры, после закалки до Т 0. Состояние кристалла при высокой температуре соответствует, а. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5