Захват - дырка
Cтраница 4
В этой области уровень Ферми располагается вблизи дна зоны проводимости, все ловушки заполнены электронами и время жизни равно времени захвата дырок ловушками тро. С повышением температуры уровень Ферми понижается, но до тех пор, пока он не приблизится к уровням ловушек Ел, время жизни сохраняется практически неизменным. [46]
Параметры рекомбинационных центров на основе двухуровневой модели в InSb приведены в табл. 11.32, где Ср, Сп - коэффициенты захвата дырок и электронов на 1 уровне, Срг, СПг - то же на 2 уровне. [47]
При захвате свободного электрона решетки сорбированной частицей возникает акцепторная связь, при которой эта частица заряжается отрицательно, а при захвате дырки и отдаче электрона - донорная связь, при которой адсорбированная частица приобретает положительный заряд. [48]
Предполагается, что в облученных стеклах протекает два процесса: захват дырок дефектами структуры, присутствующими в необлученном стекле, и захват дырок дефектами аналогичного типа, образовавшимися под воздействием излучения. [49]
В другой модели люминесценции ( рис. 1.43, в) локализованный уровень расположен немного выше валентной зоны и имеет большую вероятность захвата дырки ( о ро), но вместе с тем имеет и заметную вероятность захвата электронов зоны проводимости. [50]
Если в запрещенной зоне полупроводника п-типа имеется примесный уровень, лежащий ниже уровня Ферми и полностью заполненный электронами, то сечение захвата дырок Sp отрицательно заряженным центром будет во много раз больше, чем сечение захвата электронов Sn нейтральными центрами. [51]
При этом переход электрона из валентной зоны на локальный уровень h называют переходом дырки в валентную зону, а обратный процесс - захватом дырки соответствующим структурным дефектом. [52]
Что касается вероятностей захвата электрона или дырки, определяемых временами тпо или тро, то обычно тро меньше тпо, так как вероятность захвата дырки на отрицательно заряженные глубокие уровни выше, чем вероятность захвата электрона, который на больших расстояниях отталкивается полем центра. [53]
Так как наличие огромного числа электронов в зоне проводимости приводит практически к мгновенному восстановлению ловушек, то процессом, лимитирующим скорость рекомбинации, является захват дырки ловушкой. Поэтому скорость рекомбинации избыточных носителей оказывается равной скорости рекомбинации дырок, являющихся в n - полупроводнике неосновными носителями. [54]
В образце германия / г-типа, содержащего Nti - 10 см 3 центров рекомбинации с энергией уровня EtEv 0 16 эВ, характеризуемых коэффициентом захвата дырок р 10 - 8 см3 с 1, концентрация свободных электронов при 150 К равна п 4 10 см-3. Определить времена жизни электронов и дырок при той же температуре и при слабом возбуждении в образце, содержащем А 2 1012 см-3 центров тон же природы. [55]
 |
Зонная схема для люминофоров полупроводникового типа. [56] |
После возбуждения светом и образования электронов и дырок для уровня / более вероятен захват электрона из полосы проводимости, а для уровня / / - захват дырки из валентной полосы. Такая модель называется д о - норно-акцепторной; ее применяют в ряде случаев для объяснения процессов люминесценции. В люминофоре ZnS-Cu, согласно этой модели, медь создает акцепторный уровень, а хлор - донорный. [57]
Кроме того, следует учесть, что, помимо центров свечения, в кристаллической решетке люминофора может быть небольшое число дефектов, которые даже после захвата дырки обладают весьма малым сечением захвата электрона, вследствие чего рекомбинация электронов с локализованными на этих центрах дырками происходит медленно. [58]
Следовательно, в этом случав время жизни неосновных носителей - дырок - тро зависит только от числа центров Nt и величины у2, определяющей вероятность захвата дырки одним центром. Как правило, у2 слабо зависит от температуры, поэтому тро также практически постоянно. [59]
При ар - С а электрон, захваченный центром ( захвата), должен будет некоторое время в нем находиться, пока не будет аннигилирован захватом дырки; речь идет о временной электронной ловушке. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5