Захват - дырка
Cтраница 3
При этом рекомбинация неравновесных дырок происходит быстро, так как определяющим является процесс захвата дырки ловушкой, которая после этого почти сразу заполняется электроном зоны проводимости. [31]
Положение - уровней прилипания относительно валентной зоны можно определить, измеряя температурную зависимость сечения захвата дырок и скорости теплового выброса 1 / т; и применяя затем принцип детального равновесия. [32]
Очень интересным является случай, когда имеются два типа центров рекомбинации, причем сечения захвата дырок для этих центров примерно одинаковы, а сечения захвата электронов отличаются друг от друга на несколько порядков. [33]
Используя этот метод и формулы, описанные в приложении1), можно было найти сечение захвата дырок 3-ловушками в зависимости от температуры. [34]
Естественно предположить, что в первую очередь дегидратируются те участки поверхности, на которых эффективность захвата неравновесных дырок и электронов максимальна. [35]
 |
Изменение положения уровня Ферми ( о и времени жизни неосновных носителей ( б в зависимости от температуры. [36] |
Что касается самих тпо и тро, то обычно tpo меньше tno, так как вероятность захвата дырки на отрицательно заряженные ловушки выше, чем вероятность захвата электрона, который на больших расстояниях отталкивается центром рекомбинации. [37]
Насыщение зависимости для отжига этого уровня происходит при плотности тока 1 А см-2 и характеризуется равенством скорости захвата дырок и электронов. При параметрах рекомбинации центра Ес 0 17 эВ и электрофизических характеристиках использованного кремния насыщение зависимости Еа должно было бы наблюдаться уже при плотности тока - 1 А - см 2, так как уровень. Ес 0 17 эВ в этих условиях практически полностью отжигается. Поэтому был сделан вывод о том, что ускорение миграции междоузельного алюминия связано с зарядовым состоянием Al J / Al, кото рое не обнаружено при измерениях методом емкостной спектроскопии. [38]
В табл. 6.1 приведены экспериментальные данные уэксп и вычисленные из (6.79) 7 Ь1Ч для излучательной рекомбинации при захвате дырок заряженными акцепторами в Ge и Si при 300 К. [39]
 |
Механизм гидрирования этилена на окиси цинка. [40] |
Мы не думаем, что наше предположение ( атом водорода является обычной промежуточной частицей, образующейся при захвате дырки в процессе окисления многих органических веществ, обнаруживающих эффект удвоения тока) можно исключить, учитывая возможность рекомоинации. Необходимо указать, что, по вашим данным, ни На в исследованных водных системах, ни На из газовой фазы не инжектировали электронов при комнатной температуре в монокристалле окиси цинка. [41]
Таким образом, время жизни в легированном полупроводнике n - типа определяется только концентрацией центров рекомбинации и вероятностью захвата дырки центром рекомбинации. [42]
Совокупность данных, приведенных в этом разделе, согласуется с выводом, что одной из функций сенсибилизирующего слоя серебра является захват дырок или, другими словами, соединение с атомами брома. [43]
Если в запрещенной зоне, кроме основного уровня активатора, имеется уровень прилипания, то основной уровень имеет большую вероятность захвата дырки, а уровень прилипания - большую вероятность захвата электрона. [44]
 |
Изменение положения уровня Ферми ( а и времени жизни ( б в зависимости от температуры. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5